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公开(公告)号：CN112927820B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201911231949.1
申请日：2019-12-05
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种NNBI正负离子束偏及离子吞噬一体化结构，它包括结构框架，二极铁轭电磁体及磁路结构，离子吞噬结构及中性束传输通道，磁路结构，二极磁体励磁线圈，励磁线圈无磁不锈钢密封盒，励磁线圈空心绕线，励磁线圈励磁线进出密封管，离子吞噬器冷却水进水主管，离子吞噬器冷却水出水主管，负离子束吞噬前板，负离子束吞噬底板，负离子束吞噬后板，正离子束吞噬前板，正离子束吞噬顶板，正离子束吞噬后板，束传输通道右侧板，束传输通道左侧板。其有益效果在于：该一体化偏转和吞噬结构简化了高粒子能量的束偏转和吞噬结构制作难度，减小了正负离子偏转磁体和离子吞噬器的束截获率，特别是极大地降低了大型磁体和偏转结构的安装难度。
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公开(公告)号：CN106935458B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201511026449.6
申请日：2015-12-31
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: H01J27/02
Abstract: 本发明属于一种高功率离子源技术领域，具体涉及一种高功率强流离子源四电极支撑座组件；该组件主要包括四个大尺寸电极法兰，三个带有数条细缝结构的电极支架，三个PEEK绝缘腔。每两个法兰之间有一个绝缘腔，法兰通过O型氟橡胶密封圈与绝缘腔配合构成两端开口的真空密封绝缘腔。该电极栅支撑座组件采用了将四层电极法兰、绝缘腔以及支撑架通过密封圈密封组装之后，再次对四层支撑面进行平行度修正的方法，可以使每层电极支撑面之间的平行度达到0.04mm以内，有效降低了多个工件装配公差，降低了电极间场强的非均匀性；增大了电极系统的抽口面积，降低了电极栅层与层之间的真空度，降低高功率离子源引出期间的电击穿概率。
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公开(公告)号：CN111816532A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010693465.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明涉及热阴极弧放电离子源技术领域，具体涉及一种用于热阴极弧放电离子源的可更换灯丝组件。本发明包括馈电连接铜杆、陶瓷管、安装法兰、金属保护管、屏蔽陶瓷管、灯丝安装端子、灯丝；安装法兰上设有两个馈穿孔，每个馈穿孔的两侧分别固定连接有陶瓷管和金属保护管，馈电连接铜杆的前端穿过陶瓷管和金属保护管中心进入真空环境，馈电连接铜杆穿出馈穿孔的部分上套有屏蔽陶瓷管，馈电连接铜杆前端连接有灯丝安装端子，灯丝连接在两个灯丝安装端子上。本发明能够保证离子源能够快速更换灯丝，便于维护和维修。
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公开(公告)号：CN106935458A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511026449.6
申请日：2015-12-31
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: H01J27/02
CPC classification number: H01J27/02 , H01J27/022
Abstract: 本发明属于一种高功率离子源技术领域，具体涉及一种高功率强流离子源四电极支撑座组件；该组件主要包括四个大尺寸电极法兰，三个带有数条细缝结构的电极支架，三个PEEK绝缘腔。每两个法兰之间有一个绝缘腔，法兰通过O型氟橡胶密封圈与绝缘腔配合构成两端开口的真空密封绝缘腔。该电极栅支撑座组件采用了将四层电极法兰、绝缘腔以及支撑架通过密封圈密封组装之后，再次对四层支撑面进行平行度修正的方法，可以使每层电极支撑面之间的平行度达到0.04mm以内，有效降低了多个工件装配公差，降低了电极间场强的非均匀性；增大了电极系统的抽口面积，降低了电极栅层与层之间的真空度，降低高功率离子源引出期间的电击穿概率。
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公开(公告)号：CN113051857B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202110285099.4
申请日：2021-03-17
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: G06F30/34
Abstract: 本发明公开了一种中性束离子源时序控制系统及控制方法，涉及核聚变技术领域，解决了现有时序控制系统中的脉冲调制功能单一、时间精度低、脉冲同步性差的问题，其技术方案要点是：包括参数设置模块、时序控制模块、故障保护模块、控制电源模块、数据采集模块；本发明实现了时序控制器通道自由增减、参数可调、时序逻辑关系可自动配置，并采用网页进行参数设置，通过FPGA可编程控制器完成了离子源平台时序控制脉冲器的设计，保证了控制精度和逻辑的统一性要求，同时系统具备抗干扰、可靠性高和自动化程度高等特点，可广泛应用于离子源现场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113051857A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110285099.4
申请日：2021-03-17
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: G06F30/34
Abstract: 本发明公开了一种中性束离子源时序控制系统及控制方法，涉及核聚变技术领域，解决了现有时序控制系统中的脉冲调制功能单一、时间精度低、脉冲同步性差的问题，其技术方案要点是：包括参数设置模块、时序控制模块、故障保护模块、控制电源模块、数据采集模块；本发明实现了时序控制器通道自由增减、参数可调、时序逻辑关系可自动配置，并采用网页进行参数设置，通过FPGA可编程控制器完成了离子源平台时序控制脉冲器的设计，保证了控制精度和逻辑的统一性要求，同时系统具备抗干扰、可靠性高和自动化程度高等特点，可广泛应用于离子源现场。
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公开(公告)号：CN118984063A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411037636.3
申请日：2024-07-31
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种功率匹配调制输出的高压电源系统及方法，涉及高压电源技术领域，通过高压电源的功率匹配调制，系统能够实现对输出电压的精确控制，适应负载的变压，维持恒电压、恒功率模式的运行，满足负载对高压电源的调制需求。采用先进的高压电源控制算法，设计基于模糊控制的人工智能控制算法，对电源进行功率调制和时间调制，满足高压电源自适应功率匹配调制输出。通过高压电源功率匹配，可以研究等离子体中引入时间上的动量扰动。这种扰动可以用来研究动量输运的不同机制以及其对等离子体旋转的影响，加强核聚变中的物理研究。
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公开(公告)号：CN111816532B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202010693465.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明涉及热阴极弧放电离子源技术领域，具体涉及一种用于热阴极弧放电离子源的可更换灯丝组件。本发明包括馈电连接铜杆、陶瓷管、安装法兰、金属保护管、屏蔽陶瓷管、灯丝安装端子、灯丝；安装法兰上设有两个馈穿孔，每个馈穿孔的两侧分别固定连接有陶瓷管和金属保护管，馈电连接铜杆的前端穿过陶瓷管和金属保护管中心进入真空环境，馈电连接铜杆穿出馈穿孔的部分上套有屏蔽陶瓷管，馈电连接铜杆前端连接有灯丝安装端子，灯丝连接在两个灯丝安装端子上。本发明能够保证离子源能够快速更换灯丝，便于维护和维修。
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公开(公告)号：CN112927820A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911231949.1
申请日：2019-12-05
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种NNBI正负离子束偏及离子吞噬一体化结构，它包括结构框架，二极铁轭电磁体及磁路结构，离子吞噬结构及中性束传输通道，磁路结构，二极磁体励磁线圈，励磁线圈无磁不锈钢密封盒，励磁线圈空心绕线，励磁线圈励磁线进出密封管，离子吞噬器冷却水进水主管，离子吞噬器冷却水出水主管，负离子束吞噬前板，负离子束吞噬底板，负离子束吞噬后板，正离子束吞噬前板，正离子束吞噬顶板，正离子束吞噬后板，束传输通道右侧板，束传输通道左侧板。其有益效果在于：该一体化偏转和吞噬结构简化了高粒子能量的束偏转和吞噬结构制作难度，减小了正负离子偏转磁体和离子吞噬器的束截获率，特别是极大地降低了大型磁体和偏转结构的安装难度。
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公开(公告)号：CN218647123U
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202222301102.X
申请日：2022-08-31
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本申请属于高压电源试验设备技术领域，具体涉及一种用于高压电源系统短路试验的装置；该装置，包括：高压端子、低压端子、第一接线端子、第二接线端子、接地端子和电阻；高压端子连接高压电源系统的正极输出和第一金属丝；低压端子连接高压电源系统的负极输出和第二金属丝；第一金属丝和第二金属丝的最短空间距离决定短路试验时高压的电压等级；低压端子在短路过程中不需模拟负载电阻时连接于第一接线端子，在短路过程中需模拟负载电阻时连接于第二接线端子；第一接线端子与接地端子通过导线连接，第一接线端子分别第二接线端子连接电阻的两端，可利用于高压电源系统短路试验中测试短路过程中的电流上升速率、短路保护时间等电气参数。
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