公开(公告)号：CN108242465B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201611205266.5

申请日：2016-12-23

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 陈勇民 ,  颜骥 ,  陈芳林 ,  邱凯兵 ,  蒋谊 ,  郭润庆

IPC: H01L29/745 ,  H01L29/10 ,  H01L21/332

Abstract: 本发明公开了一种门极换流晶闸管及其制备方法。本发明的晶闸管的层状结构竖直方向自下而上依次为P+透明发射阳极、N′缓冲层、N‑基区、P基区、P+基区以及半埋于P+基区顶部的N+发射区，其中：所述N+发射区覆盖所述P+基区顶部的一部分；门极G位于所述P+基区顶部所述N+发射区没有覆盖的部分上；所述P+基区包含水平并排的P1+短基区以及P2+短基区，其中，所述P1+短基区位于所述门极G正下方，所述P2+短基区位于所述N+发射区正下方，所述P1+短基区的掺杂浓度低于所述P2+短基区的掺杂浓度。相较于现有技术，本发明不仅提高GCT关断电流能力，并降低关断能量；而且降低了GCT触发电流，保持了GCT低通态压降的优势。

公开(公告)号：CN110610858A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201810619708.3

申请日：2018-06-15

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 邱凯兵 ,  陈勇民 ,  陈芳林 ,  蒋谊 ,  郭润庆

IPC: H01L21/332 ,  H01L29/744

Abstract: 本发明公开了一种门极换流晶闸管及其制造方法。所述晶闸管包括P+透明发射阳极、N′缓冲层、N-基区、P基区以及N+发射区，其中，所述N′缓冲层以及所述P基区中分别构造有至少一个少子寿命低于其他区域的低少子寿命区。相较于现有技术，本发明所提出的门极换流晶闸管在提升关断能力，降低关断损耗的同时，对通态压降影响很小。

公开(公告)号：CN108242465A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201611205266.5

申请日：2016-12-23

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 陈勇民 ,  颜骥 ,  陈芳林 ,  邱凯兵 ,  蒋谊 ,  郭润庆

IPC: H01L29/745 ,  H01L29/10 ,  H01L21/332

Abstract: 本发明公开了一种门极换流晶闸管及其制备方法。本发明的晶闸管的层状结构竖直方向自下而上依次为P+透明发射阳极、N′缓冲层、N-基区、P基区、P+基区以及半埋于P+基区顶部的N+发射区，其中：所述N+发射区覆盖所述P+基区顶部的一部分；门极G位于所述P+基区顶部所述N+发射区没有覆盖的部分上；所述P+基区包含水平并排的P1+短基区以及P2+短基区，其中，所述P1+短基区位于所述门极G正下方，所述P2+短基区位于所述N+发射区正下方，所述P1+短基区的掺杂浓度低于所述P2+短基区的掺杂浓度。相较于现有技术，本发明不仅提高GCT关断电流能力，并降低关断能量；而且降低了GCT触发电流，保持了GCT低通态压降的优势。