-
公开(公告)号：CN110610858B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201810619708.3
申请日：2018-06-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/332 , H01L29/744
Abstract: 本发明公开了一种门极换流晶闸管及其制造方法。所述晶闸管包括P+透明发射阳极、N′缓冲层、N‑基区、P基区以及N+发射区，其中，所述N′缓冲层以及所述P基区中分别构造有至少一个少子寿命低于其他区域的低少子寿命区。相较于现有技术，本发明所提出的门极换流晶闸管在提升关断能力，降低关断损耗的同时，对通态压降影响很小。
Search Results
1
records
(took 0.023 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
