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公开(公告)号：CN102166731B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110040891.X
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B24B45/00
Abstract: 本发明提供一种磨削装置，在磨削时磨削液不会从高速旋转的轮座和磨轮的结合部漏出，能够避免结合部的腐蚀。磨削装置具备磨削构件，该磨削构件具有：旋转轴线铅直延伸的旋转主轴；装配于旋转主轴下端的圆盘状轮座；具有上表面、下表面和圆环状内周面的圆环状基座；以及由固定于基座下表面的磨具构成并装卸自如地装配于轮座下表面的磨轮。在轮座的下表面外周部形成有与磨轮的基座上表面抵接的上表面被装配面和与基座内周面配合的内周面被装配面。在轮座形成有向磨具供给磨削液的磨削液供给路径，用于限定将从磨削液供给路径流出的磨削液导向磨具的磨削液引导路径的圆环状磨削液引导路径限定部件配设于轮座下表面、且配设于内周面被装配面的内周侧。
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公开(公告)号：CN101161411B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200710152431.X
申请日：2007-10-11
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B24B19/22 , H01L21/304
CPC classification number: B24B7/228 , B24B1/00 , Y10S438/959
Abstract: 本发明提供一种晶片磨削加工方法，当利用在粗磨削后施行精磨削这种二段式磨削来进行形成凹部的背面磨削时，在精磨削后也可以确保器件形成区域的最初面积，不会导致半导体芯片的取得个数的减少，可以高效地实施磨削加工。利用粗磨削单元(40A)的粗磨削砂轮(45)，在晶片(1)背面的与器件形成区域(4)相对应的区域上形成凹部(1A)，同时形成其周围的环状凸部(5A)。接下来，利用精磨削单元(40B)的精磨削砂轮(46)，先磨削凹部(1A)的内周侧面(5B)，之后继续磨削底面(4a)。
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公开(公告)号：CN110103131B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910071570.2
申请日：2019-01-25
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供磨削研磨装置和磨削研磨方法，消除在磨削研磨装置中利用不同机构进行水封形成和保持工作台的冷却而导致装置结构大且复杂的情况。磨削研磨装置(1)具有保持单元(5)、磨削单元(30、31)和研磨单元(4)，保持单元具有多孔板(50)和框体(51)，多孔板具有晶片保持面，框体具有使保持面露出并对多孔板进行收纳的凹部(511a)，框体具有：吸引路(510)，其将框体的下表面(511b)与凹部底面连通，并使下表面侧与吸引源(59)连接；和连通路，其将下表面与凹部外侧的上表面连通，并使下表面侧与水提供源(57)连接，磨削研磨装置具有单元(9)，该单元对从连通路在上表面上开口而得的喷出口喷出水而在晶片与保持面之间形成水封的情况下的水量和对保持单元进行冷却的情况下的水量进行控制。
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公开(公告)号：CN102166731A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110040891.X
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B24B37/04
Abstract: 本发明提供一种磨削装置，在磨削时磨削液不会从高速旋转的轮座和磨轮的结合部漏出，能够避免结合部的腐蚀。磨削装置具备磨削构件，该磨削构件具有：旋转轴线铅直延伸的旋转主轴；装配于旋转主轴下端的圆盘状轮座；具有上表面、下表面和圆环状内周面的圆环状基座；以及由固定于基座下表面的磨具构成并装卸自如地装配于轮座下表面的磨轮。在轮座的下表面外周部形成有与磨轮的基座上表面抵接的上表面被装配面和与基座内周面配合的内周面被装配面。在轮座形成有向磨具供给磨削液的磨削液供给路径，用于限定将从磨削液供给路径流出的磨削液导向磨具的磨削液引导路径的圆环状磨削液引导路径限定部件配设于轮座下表面、且配设于内周面被装配面的内周侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102294637B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110160530.9
申请日：2011-06-15
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B24B19/22 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种磨削加工工具，其能够实现管理负担减轻和成本降低。在基座部(40)配设有多个磨具(419)且形成有用于供给磨削液的喷嘴(422)，基座部(40)是由第1部位(41)和第2部位(42)构成的结构，其中，在第1部位(41)配设有磨具(419)，第2部位(42)能够从第1部位(41)分离，并且在第2部位(42)形成有喷嘴(422)，只将配设有用于消耗的磨具(419)的第1部位(41)作为消耗品进行处理，而形成有喷嘴(422)的第2部位(42)则能够在不更换的状态下使用。
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公开(公告)号：CN102294637A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110160530.9
申请日：2011-06-15
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B24B19/22 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种磨削加工工具，其能够实现管理负担减轻和成本降低。在基座部(40)配设有多个磨具(419)且形成有用于供给磨削液的喷嘴(422)，基座部(40)是由第1部位(41)和第2部位(42)构成的结构，其中，在第1部位(41)配设有磨具(419)，第2部位(42)能够从第1部位(41)分离，并且在第2部位(42)形成有喷嘴(422)，只将配设有用于消耗的磨具(419)的第1部位(41)作为消耗品进行处理，而形成有喷嘴(422)的第2部位(42)则能够在不更换的状态下使用。
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公开(公告)号：CN114986293A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210174462.X
申请日：2022-02-24
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供磨削装置。其测量磨削过程中的被加工物的厚度分布而精密地调整工作台旋转轴线的倾斜。该磨削装置具有：能够绕工作台旋转轴线旋转的卡盘工作台；具有包含多个磨削磨具的磨削磨轮的磨削单元；调整该工作台旋转轴线的倾斜的倾斜调整单元；测量该被加工物的厚度的厚度测量器；和控制单元，其中，该厚度测量器具有：测量该被加工物的厚度的测量部；以及使该测量部在测量轨道上往复移动的测量部移动机构，该控制单元一边使该测量部在该测量轨道上往复移动一边测量该被加工物的各点的厚度，计算往路厚度测量值和返路厚度测量值的平均值，根据该平均值计算该被加工物的剖面形状，根据被加工物的该剖面形状计算该工作台旋转轴线的倾斜的调整量。
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公开(公告)号：CN110103131A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910071570.2
申请日：2019-01-25
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供磨削研磨装置和磨削研磨方法，消除在磨削研磨装置中利用不同机构进行水封形成和保持工作台的冷却而导致装置结构大且复杂的情况。磨削研磨装置(1)具有保持单元(5)、磨削单元(30、31)和研磨单元(4)，保持单元具有多孔板(50)和框体(51)，多孔板具有晶片保持面，框体具有使保持面露出并对多孔板进行收纳的凹部(511a)，框体具有：吸引路(510)，其将框体的下表面(511b)与凹部底面连通，并使下表面侧与吸引源(59)连接；和连通路，其将下表面与凹部外侧的上表面连通，并使下表面侧与水提供源(57)连接，磨削研磨装置具有单元(9)，该单元对从连通路在上表面上开口而得的喷出口喷出水而在晶片与保持面之间形成水封的情况下的水量和对保持单元进行冷却的情况下的水量进行控制。
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公开(公告)号：CN101161411A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710152431.X
申请日：2007-10-11
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B24B19/22 , H01L21/304
CPC classification number: B24B7/228 , B24B1/00 , Y10S438/959
Abstract: 本发明提供一种晶片磨削加工方法，当利用在粗磨削后施行精磨削这种二段式磨削来进行形成凹部的背面磨削时，在精磨削后也可以确保器件形成区域的最初面积，不会导致半导体芯片的取得个数的减少，可以高效地实施磨削加工。利用粗磨削单元(40A)的粗磨削砂轮(45)，在晶片(1)背面的与器件形成区域(4)相对应的区域上形成凹部(1A)，同时形成其周围的环状凸部(5A)。接下来，利用精磨削单元(40B)的精磨削砂轮(46)，先磨削凹部(1A)的内周侧面(5B)，之后继续磨削底面(4a)。
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