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公开(公告)号：CN105593411B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201480054061.4
申请日：2014-09-10
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
Inventor： 泽田滋
CPC classification number: H01B1/026 , C22C9/02 , C25D3/12 , C25D3/22 , C25D3/30 , C25D3/38 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D5/34 , C25D5/50 , C25D5/505 , C25D7/00 , H01R13/03 , Y10T428/1259 , Y10T428/12611 , Y10T428/12618 , Y10T428/12667 , Y10T428/12708 , Y10T428/12722 , Y10T428/12882 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/12917
Abstract: 一种连接器用电接点材料，其具有：由金属材料制成的基材10，在基材10上形成的含有Sn和Cu且还含有选自Zn、Co、Ni和Pd中的一种或两种以上金属的三元或四元以上的合金层2，和在合金层2的表面形成的导电性覆膜层3。合金层2含有将Cu6Sn5中Cu的一部分置换成选自Zn、Co、Ni和Pd中的一种或两种以上金属而得的金属间化合物。合金层2中的选自Zn、Co、Ni和Pd中的一种或两种以上金属的含量在将与Cu一起的合计含量设为100原子％的情况下优选为1～50原子％的范围内。
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公开(公告)号：CN105593411A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480054061.4
申请日：2014-09-10
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
Inventor： 泽田滋
CPC classification number: H01B1/026 , C22C9/02 , C25D3/12 , C25D3/22 , C25D3/30 , C25D3/38 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D5/34 , C25D5/50 , C25D5/505 , C25D7/00 , H01R13/03 , Y10T428/1259 , Y10T428/12611 , Y10T428/12618 , Y10T428/12667 , Y10T428/12708 , Y10T428/12722 , Y10T428/12882 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/12917
Abstract: 一种连接器用电接点材料，其具有：由金属材料制成的基材10，在基材10上形成的含有Sn和Cu且还含有选自Zn、Co、Ni和Pd中的一种或两种以上金属的三元或四元以上的合金层2，和在合金层2的表面形成的导电性覆膜层3。合金层2含有将Cu6Sn5中Cu的一部分置换成选自Zn、Co、Ni和Pd中的一种或两种以上金属而得的金属间化合物。合金层2中的选自Zn、Co、Ni和Pd中的一种或两种以上金属的含量在将与Cu一起的合计含量设为100原子％的情况下优选为1～50原子％的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107004983B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201580056824.3
申请日：2015-10-16
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供与以往相比端子插入力小的端子配件(1)。端子配件(1)具有由金属材料制成的基材(2)和覆盖基材(2)的表面的镀覆膜(3)。镀覆膜(3)具有最外层(31)，最外层(31)包含Sn母相(311)和分散于Sn母相(311)中的Sn‑Pd系粒子(312)，Sn母相(311)和Sn‑Pd系粒子(312)存在于外表面。另外，在仅将Sn母相(311)除去的状态下存在于镀覆膜(31)的外表面的Sn‑Pd系粒子(312)的数量为10～400个/500μm2。
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公开(公告)号：CN107004983A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580056824.3
申请日：2015-10-16
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01R13/03 , C25D3/12 , C25D3/30 , C25D3/50 , C25D5/12 , C25D5/505 , C25D7/00 , H01R12/585 , H01R12/7064 , H01R12/7082
Abstract: 本发明的课题是提供与以往相比端子插入力小的端子配件(1)。端子配件(1)具有由金属材料制成的基材(2)和覆盖基材(2)的表面的镀覆膜(3)。镀覆膜(3)具有最外层(31)，最外层(31)包含Sn母相(311)和分散于Sn母相(311)中的Sn‑Pd系粒子(312)，Sn母相(311)和Sn‑Pd系粒子(312)存在于外表面。另外，在仅将Sn母相(311)除去的状态下存在于镀覆膜(31)的外表面的Sn‑Pd系粒子(312)的数量为10～400个/500μm2。
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公开(公告)号：CN100338752C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN02150242.0
申请日：2002-11-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G01R31/2648 , G01R31/2831 , H01L22/14
Abstract: 本发明涉及一种在含In复合半导体晶片中非侵入性评价载体浓度的方法，该方法能够在半导体器件应用中利用评价的晶片本身。利用C/V技术，在包括含In复合半导体表面层的晶片中评价载体浓度的方法，其特征在于，通过在晶片表面接触液体电极，不利用光蚀刻的情况下，利用超过10V的外加电压来非侵入性的评价载体浓度。
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公开(公告)号：CN1750276A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510103639.3
申请日：2005-09-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/1035 , H01L21/02392 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02546 , H01L31/03046 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 一种外延晶片，具备基板(3)、缓冲层(9)、受光层(11)、窗层(13)。缓冲层(9)形成于基板(3)上。受光层(11)形成于缓冲层(9)上。受光层(11)由具有比构成基板(3)的材料的晶格常数更大的晶格常数的外延膜构成。窗层(13)形成于受光层(11)上，由被与受光层(11)接触地配置的1层或多层构成。构成窗层(13)的层当中的与受光层(11)接触的层的晶格常数比受光层(11)的晶格常数及缓冲层(9)的晶格常数当中的任意一个较大的晶格常数更小。窗层(13)的厚度在0.2μm以上、2.0μm以下。由此，本发明提供能够实现特性的改善的外延晶片及元件。
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公开(公告)号：CN1420539A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN02150242.0
申请日：2002-11-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G01R31/2648 , G01R31/2831 , H01L22/14
Abstract: 本发明涉及一种在含In复合半导体晶片中非侵入性评价载体浓度的方法，该方法能够在半导体器件应用中利用评价的晶片本身。利用C/V技术，在包括含In复合半导体表面层的晶片中评价载体浓度的方法，其特征在于，通过在晶片表面接触液体电极，不利用光蚀刻的情况下，利用超过10V的外加电压来非侵入性的评价载体浓度。
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