铜合金
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103290253B

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201310029795.4

    申请日:2013-01-25

    CPC classification number: C22C9/00 C22F1/08

    Abstract: 提供一种强度与导电性的平衡优越,进而强度与弯曲加工性的平衡也优越的铜合金板。本发明的铜合金含有规定量的Cr、Ti、Si,所述Cr与所述Ti的质量比:1.0≤(Cr/Ti)≤30,所述Cr与所述Si的质量比:3.0≤(Cr/Si)≤30,余量由铜及不可避杂质构成,其要旨在于,所述铜合金中所含的Cr、Ti及Si的合计量中的70%以上析出,并且所述铜合金的宽度方向横截面中从所述铜合金表面计算,在厚度方向25μm×横截面方向40μm的区域内由SEM观察的当量圆直径为300nm以上的析出物在50个以下,且在所述铜合金板的表面中由TEM观察的当量圆直径不到300nm的析出物的平均当量圆直径在15nm以下。

    强度和成形性优异的电气电子部件用铜合金板

    公开(公告)号:CN101605917B

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:CN200880004730.1

    申请日:2008-02-14

    Inventor: 畚野章 坂本浩

    CPC classification number: C22F1/08 C22C9/06 C22F1/00

    Abstract: 本发明得到使高强度和优异的弯曲加工性并立的电气电子部用铜合金板。含有Ni:1.5~4.5%(质量%,下同)、Si:0.3~1.0%,根据需要含有Sn:0.01~1.3%、Mg:0.005~0.2%、Zn:0.01~5%、Mn:0.01~0.5%、Cr:0.001~0.3%的1种或2种以上,余量由Cu和不可避免的杂质构成,平均晶粒直径为10μm以下,并且晶粒直径的标准偏差σ满足2σ<10μm,在结晶晶界上存在的粒径30~300nm的分散粒子的存在Ni2Si的存在量为500个/mm以上。

    铜合金
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103290253A

    公开(公告)日:2013-09-11

    申请号:CN201310029795.4

    申请日:2013-01-25

    CPC classification number: C22C9/00 C22F1/08

    Abstract: 提供一种强度与导电性的平衡优越,进而强度与弯曲加工性的平衡也优越的铜合金板。本发明的铜合金含有规定量的Cr、Ti、Si,所述Cr与所述Ti的质量比:1.0≤(Cr/Ti)≤30,所述Cr与所述Si的质量比:3.0≤(Cr/Si)≤30,余量由铜及不可避杂质构成,其要旨在于,所述铜合金中所含的Cr、Ti及Si的合计量中的70%以上析出,并且所述铜合金的宽度方向横截面中从所述铜合金表面计算,在厚度方向25μm×横截面方向40μm的区域内由SEM观察的当量圆直径为300nm以上的析出物在50个以下,且在所述铜合金板的表面中由TEM观察的当量圆直径不到300nm的析出物的平均当量圆直径在15nm以下。

    强度和成形性优异的电气电子部件用铜合金板

    公开(公告)号:CN101605917A

    公开(公告)日:2009-12-16

    申请号:CN200880004730.1

    申请日:2008-02-14

    Inventor: 畚野章 坂本浩

    CPC classification number: C22F1/08 C22C9/06 C22F1/00

    Abstract: 本发明得到使高强度和优异的弯曲加工性并立的电气电子部用铜合金板。含有Ni:1.5~4.5%(质量%,下同)、Si:0.3~1.0%,根据需要含有Sn:0.01~1.3%、Mg:0.005~0.2%、Zn:0.01~5%、Mn:0.01~0.5%、Cr:0.001~0.3%的1种或2种以上,余量由Cu和不可避免的杂质构成,平均晶粒直径为10μm以下,并且晶粒直径的标准偏差σ满足2σ<10μm,在结晶晶界上存在的粒径30~300nm的分散粒子的存在量为500个/mm以上。

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