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公开(公告)号：CN1790045A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510133860.3
申请日：2003-11-21
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L27/22 , G01P3/487 , G01R33/02 , Y10T428/1193
Abstract: 一种磁阻抗器件包括半导体基片(22、322)和用于检测磁场的磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)。磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)被置于基片(22、322)上。磁性传感器设备具有最小尺寸并且是以低制造成本制成的。在此，磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)以以下方式来检测磁场：当交流电被施加给器件(1、2、301、301A、301B)时，器件(1、2、301、301A、301B)的阻抗依照该磁场而变化，并且阻抗是通过外部电路(312、313、314、315)来测量的。
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公开(公告)号：CN100526904C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200510133860.3
申请日：2003-11-21
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L27/22 , G01P3/487 , G01R33/02 , Y10T428/1193
Abstract: 一种磁阻抗器件包括半导体基片(22、322)和用于检测磁场的磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)。磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)被置于基片(22、322)上。磁性传感器设备具有最小尺寸并且是以低制造成本制成的。在此，磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)以以下方式来检测磁场：当交流电被施加给器件(1、2、301、301A、301B)时，器件(1、2、301、301A、301B)的阻抗依照该磁场而变化，并且阻抗是通过外部电路(312、313、314、315)来测量的。
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公开(公告)号：CN106104828B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201580010832.4
申请日：2015-02-23
Abstract: 磁传感器(1)具备磁化固定层(20)、磁场检测层(40)、以及中间层(30)。所述磁化固定层形成为薄膜状，磁化方向被固定为与面内方向平行的方向。所述磁场检测层的磁化方向根据外部磁场而变化。所述中间层被配置在所述磁化固定层与所述磁场检测层之间，且电阻值根据所述磁化固定层的所述磁化方向与所述磁场检测层的所述磁化方向之间的角度而变化。所述磁场检测层的每单位面积的磁化量小于0.2[memu/cm2]。
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公开(公告)号：CN1311569C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410007404.X
申请日：2004-03-03
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 青建一
CPC classification number: G01D5/145 , G01D11/245 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , Y10T29/49002 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 磁传感器被制成为：磁传感器芯片具有包括MRE桥和比较器的单片结构，通过粘合剂材料被安装在引线框架上，然后通过在模制材料中压模来封装安装在引线框架上的磁传感器芯片。磁传感器包括通过磁化芯片安装部件、粘合剂材料和封装材料中的至少一个来形成的磁场产生部分。
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公开(公告)号：CN100468523C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200310118343.X
申请日：2003-11-21
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L27/22 , G01P3/487 , G01R33/02 , Y10T428/1193
Abstract: 一种磁阻抗器件包括半导体基片(22、322)和用于检测磁场的磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)。磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)被置于基片(22、322)上。磁性传感器设备具有最小尺寸并且是以低制造成本制成的。在此，磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)以以下方式来检测磁场：当交流电被施加给器件(1、2、301、301A、301B)时，器件(1、2、301、301A、301B)的阻抗依照该磁场而变化，并且阻抗是通过外部电路(312、313、314、315)来测量的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1527065A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410007404.X
申请日：2004-03-03
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 青建一
IPC: G01R33/06
CPC classification number: G01D5/145 , G01D11/245 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , Y10T29/49002 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 磁传感器被制成为：磁传感器芯片具有包括MRE桥和比较器的单片结构，通过粘合剂材料被安装在引线框架上，然后通过在模制材料中压模来封装安装在引线框架上的磁传感器芯片。磁传感器包括通过磁化芯片安装部件、粘合剂材料和封装材料中的至少一个来形成的磁场产生部分。
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公开(公告)号：CN1503230A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310118343.X
申请日：2003-11-21
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L27/22 , G01P3/487 , G01R33/02 , Y10T428/1193
Abstract: 一种磁阻抗器件包括半导体基片(22、322)和用于检测磁场的磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)。磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)被置于基片(22、322)上。磁性传感器设备具有最小尺寸并且是以低制造成本制成的。在此，磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)以以下方式来检测磁场：当交流电被施加给器件(1、2、301、301A、301B)时，器件(1、2、301、301A、301B)的阻抗依照该磁场而变化，并且阻抗是通过外部电路(312、313、314、315)来测量的。
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公开(公告)号：CN109478593A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780040532.X
申请日：2017-06-29
Abstract: 磁传感器(1)具备：基板(2)，具有主面(21)；自由层(3)，具有与主面平行的面内方向的易磁化轴方向；中间层(4)，设置在基板与自由层之间；以及固定层(5)，设置在基板与中间层之间。固定层具有：第一强磁性体层(51)，磁化方向被固定为与主面不平行的第一方向；第二强磁性体层(52)，磁化方向被固定为与主面的法线平行的方向的成分沿与第一方向相反的第二方向；以及非磁性体层(53)，设置在第一强磁性体层与第二强磁性体层之间。
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公开(公告)号：CN106104828A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580010832.4
申请日：2015-02-23
Applicant: 株式会社电装 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 磁传感器(1)具备磁化固定层(20)、磁场检测层(40)、以及中间层(30)。所述磁化固定层形成为薄膜状，磁化方向被固定为与面内方向平行的方向。所述磁场检测层的磁化方向根据外部磁场而变化。所述中间层被配置在所述磁化固定层与所述磁场检测层之间，且电阻值根据所述磁化固定层的所述磁化方向与所述磁场检测层的所述磁化方向之间的角度而变化。所述磁场检测层的每单位面积的磁化量小于0.2[memu/cm2]。
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