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公开(公告)号:CN117999476A
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202280061670.7
申请日:2022-08-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01N27/414
Abstract: 离子传感器(1)具备:离子检测元件(3);基准电极(5),提供电位的基准点;以及溶液(7),在上述离子检测元件的传感检测区域(29)中离子浓度能够变化。上述离子检测元件的上述传感检测区域配置在上述溶液中。在被检测物质的检测方法中,使用离子传感器。将与具有使上述离子传感器能够检测的离子的量发生变化的功能的标识体结合的上述被检测物质导入上述溶液,使用上述离子传感器来检测上述离子的量的变化。
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公开(公告)号:CN116784020A
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN202280012733.X
申请日:2022-02-01
Applicant: 株式会社电装
IPC: H10N30/30
Abstract: 压电元件包括:支承体(10);以及振动部(20),其配置在支承体(10)上,设为包括压电膜(50)和与压电膜(50)连接来取出因压电膜(50)发生变形而产生的电荷的电极膜(60)的结构,振动部(20)具有由支承体(10)支承的支承区域(21a)和与支承区域(21a)相连且从支承体(10)悬浮的振动区域(22),基于电荷来输出压力检测信号。并且,在振动区域(22)从支承区域(21a)侧朝向振动区域(22)的中心部(C)形成有多个狭缝,并且振动区域(22)成为相对于支承区域(21a)而被两端支承的状态。
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公开(公告)号:CN108028197A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201680056441.0
申请日:2016-09-09
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/3065 , B81C1/00 , H01L29/84
CPC classification number: B81C1/00 , H01L21/3065 , H01L29/84
Abstract: 一种进行在半导体层(11)的厚度方向上形成沟槽(20)的沟槽蚀刻、形成隔着沟槽而彼此的侧壁(16a,18a)相对置的第一图案部(16)及第二图案部(18)这两个图案部的半导体装置的制造方法,沟槽蚀刻中,在半导体层的表面形成保护膜(4)并且将半导体层蚀刻而除去,在沟槽蚀刻中,以做成使第一图案部和第二图案部成为相同电位或相同温度的构造的方式进行沟槽蚀刻。
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