公开(公告)号：CN104380120B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201380031033.6

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小川晃

IPC: G01P15/125 ,  G01P21/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01P15/135 ,  G01C19/5747 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/13 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0882

Abstract: 公开一种具有形成在锤部(17)上的可动电极(18)和与可动电极对置的固定电极(19)的静电电容式物理量传感器。第1可动检测电极(21)和第1固定检测电极(24)在第1y方向上对置。第2可动检测电极(22)和第2固定检测电极(25)在第2y方向上对置。第1可动衰减电极(23)位于两个第1固定衰减电极(26)之间的中心，与一方的第1固定衰减电极在第1y方向上对置，与另一方的第1固定衰减电极在第2y方向上对置。多个第1可动衰减电极位于隔着锤部的中心(CP)而点对称或隔着穿过中心并沿着y方向的中心线(CL)而线对称的位置。

公开(公告)号：CN108028197A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680056441.0

申请日：2016-09-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小川晃 ,  野田理崇 ,  吉冈彻雄 ,  清水悠平

IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/84

Abstract: 一种进行在半导体层(11)的厚度方向上形成沟槽(20)的沟槽蚀刻、形成隔着沟槽而彼此的侧壁(16a，18a)相对置的第一图案部(16)及第二图案部(18)这两个图案部的半导体装置的制造方法，沟槽蚀刻中，在半导体层的表面形成保护膜(4)并且将半导体层蚀刻而除去，在沟槽蚀刻中，以做成使第一图案部和第二图案部成为相同电位或相同温度的构造的方式进行沟槽蚀刻。

公开(公告)号：CN104380120A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380031033.6

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小川晃

IPC: G01P15/125 ,  G01P21/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01P15/135 ,  G01C19/5747 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/13 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0882

Abstract: 本发明公开一种具有形成在锤部(17)上的可动电极(18)和与可动电极对置的固定电极(19)的静电电容式物理量传感器。第1可动检测电极(21)和第1固定检测电极(24)在第1y方向上对置。第2可动检测电极(22)和第2固定检测电极(25)在第2y方向上对置。第1可动衰减电极(23)位于两个第1固定衰减电极(26)之间的中心，与一方的第1固定衰减电极在第1y方向上对置，与另一方的第1固定衰减电极在第2y方向上对置。多个第1可动衰减电极位于隔着锤部的中心(CP)而点对称或隔着穿过中心并沿着y方向的中心线(CL)而线对称的位置。

公开(公告)号：CN118633048A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202280082927.7

申请日：2022-12-01

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 浅见博 ,  小川晃 ,  今井祐介

IPC: G02B7/00 ,  G01S7/481

Abstract: 光检测装置具备：规定相互正交的第一以及第二基准方向的基部(11)；相对于基部(11)在第一以及第二基准方向上被定位的投光保持件(61)；投光单元(21)，在与第一以及第二基准方向正交的投光光轴(POA)上具有由基部(11)保持的投光器(22)和由投光保持件(61)保持的投光透镜系统(26)；第一投光垫片(64)，在基部(11)以及投光保持件(61)间可更换地夹装于沿第一基准方向扩展的第一投光间隙(63a)；第二投光垫片(66)，在基部(11)以及投光保持件(61)间可更换地夹装于沿与第一以及第二基准方向交叉的投光交叉方向(PD)扩展的第二投光间隙(63c)；以及投光螺钉(68)，通过沿着第一基准方向的螺纹固定将投光保持件(61)相对于基部(11)进行固定。

公开(公告)号：CN117546041A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202280043280.7

申请日：2022-03-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小川晃

IPC: G01S7/497

Abstract: 调整激光雷达装置(100)的光轴方向的光轴调整方法具备：照射工序，从激光雷达装置送出激光，使得在被照射了从激光雷达装置送出的激光的对象物的各部分的明亮度上产生差异；中心检测工序，基于被照射了从激光雷达装置送出的激光的对象物的各部分的明亮度的差异，检测激光的照射范围的中心；以及光轴调整工序，调整激光雷达装置的光轴方向，使得通过中心检测工序检测出的中心配置于预先决定的位置。