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公开(公告)号：CN102366716B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110204483.3
申请日：2011-06-22
Applicant: 株式会社电装 , 国立大学法人佐贺大学
IPC: B01J20/24
Abstract: 公开了用于贵金属的吸附剂及其制备方法和回收贵金属的方法。具体地，公开了一种贵金属吸附剂，其包括具有氨基基团作为官能基团的藻类或藻类残余物。回收贵金属的方法包括：在贵金属吸附剂上吸附贵金属；并回收该贵金属。该贵金属被溶解在液体中。由此，通过使用该贵金属吸附剂，该贵金属被选择性地回收。
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公开(公告)号：CN101853786A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200910216906.6
申请日：2006-10-05
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/02664 , H01L21/308 , H01L23/544 , H01L29/0634 , H01L29/66712 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/975 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体衬底的制造方法。避免在埋入到沟槽内部的外延膜中产生空隙。包括如下步骤：在衬底主体(63)的表面生长第一外延膜(61)；在该第一外延膜(61)上形成多个第一沟槽(64)；在第一沟槽(64)的内部整体生长第二外延膜(62)；研磨第二外延膜(62)使其平坦；进一步在平坦的第二外延膜(62)的上表面生长与第一外延膜(61)相同组成的第三外延膜(66)；在该第三外延膜(66)上形成多个第二沟槽(67)，使第一沟槽(64)延长；在第二沟槽(67)的内部整体进一步生长第四外延膜(68)；研磨所述第四外延膜(68)使其平坦。
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公开(公告)号：CN101278377A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200680036884.X
申请日：2006-10-05
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , H01L21/205 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L29/0634 , H01L29/66712 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种使外延膜平坦化并形成杂质扩散层之后形成也能够在定位中使用的定位标记的半导体衬底。在N+型衬底(1)的定位区域形成沟槽(11)，利用该沟槽(11)形成N－型层(2)之后，残留空隙(3)。能够利用该N+型衬底(1)中所形成的空隙作为定位标记。因此，使用这样的半导体衬底，能够在之后的半导体装置的制造步骤中取得定位，能够在所希望的位置上准确地形成构成半导体装置的各要素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1699727A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510072758.7
申请日：2005-05-19
Applicant: 株式会社电装
IPC: F01B29/00
Abstract: 一种蒸汽发动机，具有管形液体容器，加热和冷却装置分别设置在液体容器的加热和冷却部分，而输出装置连接到液体容器，以便输出装置通过液体容器中的液体压力变化操作，以产生电力。在此蒸汽发动机中，冷却部分的内半径“r1”制作为接近等于热渗透(在低压)的深度“δ1”，其通过下列公式(1)计算：…(1)，其中，“a1”为工作液体在其低压的热扩散率，而“ω”为工作液体运动的角频率。
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公开(公告)号：CN114091799A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110675486.9
申请日：2021-06-18
Applicant: 株式会社电装 , 东芝数字解决方案株式会社
IPC: G06Q10/06 , G06Q50/04 , G05B19/418
Abstract: 根据实施方式，作业内容分析装置是根据作业员的状态来分析作业员的作业内容的作业内容分析装置，具备：第1数据库，将表示作业员的状态的状态信息与时间信息以及作业员的识别信息关联起来存储；推测部，根据存储于第1数据库的状态信息中的与同一时间关联起来的至少两个状态信息，推测由作业员进行的作业内容；确定部，根据存储于第1数据库的状态信息和与状态信息关联起来的时间信息，确定推测出的作业内容所花费的作业时间；以及分析部，根据推测出的作业内容和所确定的作业时间，分析作业内容。
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公开(公告)号：CN101278377B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200680036884.X
申请日：2006-10-05
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , H01L21/205 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L29/0634 , H01L29/66712 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种使外延膜平坦化并形成杂质扩散层之后形成也能够在定位中使用的定位标记的半导体衬底。在N+型衬底(1)的定位区域形成沟槽(11)，利用该沟槽(11)形成N-型层(2)之后，残留空隙(3)。能够利用该N+型衬底(1)中所形成的空隙作为定位标记。因此，使用这样的半导体衬底，能够在之后的半导体装置的制造步骤中取得定位，能够在所希望的位置上准确地形成构成半导体装置的各要素。
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公开(公告)号：CN101853786B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200910216906.6
申请日：2006-10-05
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/02664 , H01L21/308 , H01L23/544 , H01L29/0634 , H01L29/66712 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/975 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体衬底的制造方法。避免在埋入到沟槽内部的外延膜中产生空隙。包括如下步骤：在衬底主体(63)的表面生长第一外延膜(61)；在该第一外延膜(61)上形成多个第一沟槽(64)；在第一沟槽(64)的内部整体生长第二外延膜(62)；研磨第二外延膜(62)使其平坦；进一步在平坦的第二外延膜(62)的上表面生长与第一外延膜(61)相同组成的第三外延膜(66)；在该第三外延膜(66)上形成多个第二沟槽(67)，使第一沟槽(64)延长；在第二沟槽(67)的内部整体进一步生长第四外延膜(68)；研磨所述第四外延膜(68)使其平坦。
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公开(公告)号：CN102366716A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110204483.3
申请日：2011-06-22
Applicant: 株式会社电装 , 国立大学法人佐贺大学
CPC classification number: C02F1/286 , B01J20/305 , B01J20/3078 , B01J20/3085 , B01J20/3204 , B01J20/3248 , B01J2220/4843 , B01J2220/4875 , C02F3/322 , C02F2101/20
Abstract: 公开了用于贵金属的吸附剂及其制备方法和回收贵金属的方法。具体地，公开了一种贵金属吸附剂，其包括具有氨基基团作为官能基团的藻类或藻类残余物。回收贵金属的方法包括：在贵金属吸附剂上吸附贵金属；并回收该贵金属。该贵金属被溶解在液体中。由此，通过使用该贵金属吸附剂，该贵金属被选择性地回收。
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