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公开(公告)号：CN101622727A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006210.4
申请日：2008-02-26
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L41/083 , F02M51/00 , F02M51/06 , H01L41/187 , H01L41/22 , H02N2/00
CPC classification number: H01L41/0838 , F02M63/0026 , H01L41/273
Abstract: 一种层叠型压电元件(1)，具有交替层叠压电陶瓷层和内部电极层而形成的陶瓷层叠体、以及一对侧面电极。内部电极层(13、14)具有内部电极部(131、141)和凹进部(132、142)。陶瓷层叠体(15)具有应力缓和部(11、12)。在隔着应力缓和部(11、12)的2个内部电极层(13、14)的凹进部(132、142)之中的、位于与应力缓和部(11、12)相同侧面的凹进部(132、142)的凹进距离，比应力缓和部(11、12)的深度大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100417621C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200610059492.7
申请日：2006-03-13
Applicant: 株式会社电装
IPC: C04B35/46 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/495 , B32B2315/02 , C04B35/62218 , C04B37/008 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3826 , C04B2235/3873 , C04B2235/6025 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , C04B2237/345 , H01L41/083 , H01L41/273
Abstract: 本发明提供了一种晶体-取向陶瓷的制备方法，该方法包括片料制备步骤，结晶-促进层形成步骤和煅烧步骤。在片料制备步骤，制备生料片1。在结晶-促进层形成步骤，形成包含结晶-促进材料颗粒151的结晶-促进层15，以便其与生料片1接触。在煅烧步骤，对生料片进行煅烧。另外，本发明还提供一种陶瓷层压材料的制备方法，该方法包括层压材料-制备步骤和煅烧步骤。在层压材料-制备步骤，制备其中堆叠有生料片和电极-印刷层的层压材料。形成包含所述结晶-促进材料颗粒的结晶-促进层以便该促进层与生料片接触，所述结晶-促进材料颗粒在煅烧期间使得多晶物质中的晶粒生长。在煅烧步骤，对所述层压材料进行煅烧。
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公开(公告)号：CN1830895A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610059492.7
申请日：2006-03-13
Applicant: 株式会社电装
IPC: C04B35/46 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/495 , B32B2315/02 , C04B35/62218 , C04B37/008 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3826 , C04B2235/3873 , C04B2235/6025 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , C04B2237/345 , H01L41/083 , H01L41/273
Abstract: 本发明提供了一种晶体－取向陶瓷的制备方法，该方法包括片料制备步骤，结晶－促进层形成步骤和煅烧步骤。在片料制备步骤，制备生料片1。在结晶－促进层形成步骤，形成包含结晶－促进材料颗粒151的结晶－促进层15，以便其与生料片1接触。在煅烧步骤，对生料片进行煅烧。另外，本发明还提供－种陶瓷层压材料的制备方法，该方法包括层压材料－制备步骤和煅烧步骤。在层压材料－制备步骤，制备其中堆叠有生料片和电极－印刷层的层压材料。形成包含所述结晶－促进材料颗粒的结晶－促进层以便该促进层与生料片接触，所述结晶－促进材料颗粒在煅烧期间使得多晶物质中的晶粒生长。在煅烧步骤，对所述层压材料进行煅烧。
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公开(公告)号：CN101867098B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201010151904.6
申请日：2010-04-14
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 提供一种铝导体端子装置及其制造方法。所述铝导体端子装置包括由铝或者铝合金构成的第一金属材料制成的铝导体，由不同于第一金属材料的第二金属材料所制成的端子构件，和通过熔化铝导体的前端部分的一部分和端子构件的一部分来产生熔融金属并且冷却熔融金属以使所述熔融金属凝固而形成的金属焊件。端子构件成形为围绕铝导体的前端部分并且具有侧壁以限定在其内侧用于积累熔融金属的容纳池。
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公开(公告)号：CN101622727B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200880006210.4
申请日：2008-02-26
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L41/083 , F02M51/00 , F02M51/06 , H01L41/187 , H01L41/22 , H02N2/00
CPC classification number: H01L41/0838 , F02M63/0026 , H01L41/273
Abstract: 一种层叠型压电元件(1)，具有交替层叠压电陶瓷层和内部电极层而形成的陶瓷层叠体、以及一对侧面电极。内部电极层(13、14)具有内部电极部(131、141)和凹进部(132、142)。陶瓷层叠体(15)具有应力缓和部(11、12)。在隔着应力缓和部(11、12)的2个内部电极层(13、14)的凹进部(132、142)之中的、位于与应力缓和部(11、12)相同侧面的凹进部(132、142)的凹进距离，比应力缓和部(11、12)的深度大。
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公开(公告)号：CN101867098A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010151904.6
申请日：2010-04-14
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 提供一种铝导体端子装置及其制造方法。所述铝导体端子装置包括由铝或者铝合金构成的第一金属材料制成的铝导体，由不同于第一金属材料的第二金属材料所制成的端子构件，和通过熔化铝导体的前端部分的一部分和端子构件的一部分来产生熔融金属并且冷却熔融金属以使所述熔融金属凝固而形成的金属焊件。端子构件成形为围绕铝导体的前端部分并且具有侧壁以限定在其内侧用于积累熔融金属的容纳池。
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