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公开(公告)号：CN110959251B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201880048435.X
申请日：2018-08-03
Applicant: 株式会社电装
IPC: H02M7/00 , H02M7/44 , H02M7/48 , H02M7/5387 , H01L25/07 , H01L25/18 , H02M3/04 , H02M3/10 , H02M3/158 , H02M1/32 , H05K7/20
Abstract: 一种电力转换装置，能够提高电容器和电流传感器的冷却效率，并且能够缩短装置整体在功率端子的突出方向上的长度。包括层叠了半导体模块(2)和冷却管(11)的层叠体(10)、电容器(3)和电流传感器(4)。半导体模块(2)包括上臂半导体模块(2U)和下臂半导体模块(2L)。上臂半导体模块(2U)和下臂半导体模块(2L)在层叠体(10)的层叠方向(X方向)上交替地层叠。在与半导体模块(2)的功率端子(22)的突出方向(Z方向)和X方向双方正交的正交方向(Y方向)上，在层叠体(10)的一侧配置有电容器(3)，在另一侧配置有电流传感器(4)。
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公开(公告)号：CN107317461B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201710257291.6
申请日：2017-04-19
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种电力转换装置包括含有半导体器件的半导体模块和控制半导体模块的控制电路单元。半导体模块具有并联连接的主和辅助半导体器件。控制电路单元执行控制，使得在主半导体器件被接通之后，辅助半导体器件被接通，并且在辅助半导体器件被断开之后，主半导体器件被断开。控制短路单元执行控制使得，接通和断开切换时刻中的一个具有比切换时刻中的另一个更快的切换速度。半导体模块被配置成使得，在高速切换时刻，取决于流向主半导体器件的主电流的时间变化，在辅助半导体器件的控制端子中生成意在断开辅助半导体器件的感应电流。
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公开(公告)号：CN109121461A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201780021089.1
申请日：2017-03-10
Applicant: 株式会社电装
IPC: H02M7/48
Abstract: 包括多个半导体元件(2)、控制电路部(3)。构成为使并联连接的多个半导体元件(2)同时开关动作。控制电路部(3)包括与同时动作的多个半导体元件(2)连接的驱动电路(30)、控制配线(4G)及基准配线(4KE)。控制配线(4G)将半导体元件(2)的控制电极(21G)与驱动电路(30)连接。基准配线(4KE)将半导体元件(2)的基准电极(21KE)与驱动电路(30)连接。寄生于基准配线(4KE)的电感(LKE)比寄生于控制配线(4G)的电感(LG)小。
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公开(公告)号：CN115380464A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202180024542.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 株式会社电装
IPC: H02M7/48
Abstract: 电力转换装置(100)的控制电路部(170)基于对将第一逆变器(140a)与第一旋转电机(1)连接的第一电机用母线(161a)的电流进行检测的第一电机用传感器(162a)的检测值，对第一逆变器(140a)进行反馈控制。将第二逆变器(140b)和第二旋转电机连接的第二电机用母线(161b)以夹着流过转换器(120)的电流的转换器母线(161c)的方式与第一电机用传感器(162a)分开地配置。
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公开(公告)号：CN107305888B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201710258431.1
申请日：2017-04-19
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L25/18 , H01L23/495
Abstract: 电力转换器1的半导体模块11包括彼此并联连接并且被设置在同一引线框16上的IGBT 14和MOSFET 15，所述IGBT 14和MOSFET 15中的任一者是第一切换元件，并且剩下的一个是第二切换元件，并且所述第二切换元件的传导路径被布置在与同一引线框16中的所述第一切换元件的传导路径分开的位置处。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107305889A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201710253726.X
申请日：2017-04-18
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H02M3/158 , H01L25/07 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/7393 , H01L29/861 , H02M1/088 , H02M7/5387 , H01L27/0203 , H01L27/0207 , H02M1/00 , H02M1/08
Abstract: 本发明涉及半导体模块和电力转换装置。半导体模块包括IGBT和MOSFET。IGBT由硅半导体制成。MOSFET由具有比硅半导体宽的带隙的宽带隙半导体制成。IGBT和MOSFET彼此并联连接以形成半导体元件对。IGBT具有比MOSFET大的表面积。半导体模块被配置成在包括低电流区域和高电流区域的区域中操作。流过半导体元件对的电流在高电流区域中比在低电流区域中高。在低电流区域中，MOSFET的导通电阻比IGBT的导通电阻低。相较而言，在高电流区域中，IGBT的导通电阻比MOSFET的导通电阻低。
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公开(公告)号：CN110784098B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201910694523.3
申请日：2019-07-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: H02M1/088
Abstract: 一种电力转换器，控制电路具有对控制电流进行限制以调节第一开关元件和第二开关元件中每一个的开关速度的速度调节电阻。速度调节电阻具有根据第一开关元件和第二开关元件中每一个的控制电极处的电压而变化的阻抗。反馈路径连接在第一开关元件的控制电极与第二开关元件的控制电极之间。反馈路径具有在第一开关元件和第二开关元件中每一个的预定米勒周期期间被设定为低于速度调节电阻的阻抗的值的阻抗。
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公开(公告)号：CN110959251A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201880048435.X
申请日：2018-08-03
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种电力转换装置，能够提高电容器和电流传感器的冷却效率，并且能够缩短装置整体在功率端子的突出方向上的长度。包括层叠了半导体模块(2)和冷却管(11)的层叠体(10)、电容器(3)和电流传感器(4)。半导体模块(2)包括上臂半导体模块(2U)和下臂半导体模块(2L)。上臂半导体模块(2U)和下臂半导体模块(2L)在层叠体(10)的层叠方向(X方向)上交替地层叠。在与半导体模块(2)的功率端子(22)的突出方向(Z方向)和X方向双方正交的正交方向(Y方向)上，在层叠体(10)的一侧配置有电容器(3)，在另一侧配置有电流传感器(4)。
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公开(公告)号：CN113728546B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202080031107.6
申请日：2020-04-09
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 电力转换装置(1)具有：半导体模块(2)、电容器元件(3)、正极母线(4P)和负极母线(4N)以及冷却半导体模块(2)的冷却部(5)。正极母线(4P)和负极母线(4N)分别具有：与直流电源连接的电源连接部(41)；与电容器元件(3)连接的元件连接部(42)；以及与半导体模块(2)的功率端子(21)连接的端子连接部(43)，并且具有：电源连接部(41)与端子连接部(43)之间的电流路径即第一电流路径(401)；以及电源连接部(41)与元件连接部(42)之间的电流路径即第二电流路径(402)。正极母线(4P)和负极母线(4N)的至少一方具有与任意的第二电流路径(402)相比热阻更小的第一电流路径(401)。
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