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公开(公告)号：CN109121461A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201780021089.1
申请日：2017-03-10
Applicant: 株式会社电装
IPC: H02M7/48
Abstract: 包括多个半导体元件(2)、控制电路部(3)。构成为使并联连接的多个半导体元件(2)同时开关动作。控制电路部(3)包括与同时动作的多个半导体元件(2)连接的驱动电路(30)、控制配线(4G)及基准配线(4KE)。控制配线(4G)将半导体元件(2)的控制电极(21G)与驱动电路(30)连接。基准配线(4KE)将半导体元件(2)的基准电极(21KE)与驱动电路(30)连接。寄生于基准配线(4KE)的电感(LKE)比寄生于控制配线(4G)的电感(LG)小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111226388A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201880067187.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 电力转换装置具有电子部件、冷却器、收容壳体(4)、突出管(5)和环状的密封构件(6)。密封构件(6)具有：密封主体部(61)，上述密封主体部(61)夹在突出管(5)与收容壳体(4)之间；以及凸缘部(62)，上述凸缘部(62)从密封主体部(61)向径向外侧延伸设置，并且从轴向(X)与收容壳体(4)的外侧面接触。在收容壳体(4)形成有：周壁面(41)，上述周壁面(41)从外周侧包围凸缘部(62)；以及环状槽部(42)，上述环状槽部(42)在周壁面(41)的内侧沿着凸缘部(62)的外周缘(621)。与作为收容壳体(4)中的与凸缘部接触的面的轴向接触面(43)相比，周壁面(41)形成到轴向(X)的外侧。
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公开(公告)号：CN110739863B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910649811.7
申请日：2019-07-18
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种电力转换器，绝缘构件在突出方向上介于近DC母线的第一重叠部与远DC母线的第二重叠部之间。第一重叠部定位成在突出方向上比第二重叠部更靠近转换器部件。近DC端子配置成在垂直于堆叠方向和突出方向的布置方向上比远DC端子更靠近第一重叠部和第二重叠部。近DC母线和远DC母线接合于相应的近DC端子和远DC端子。远DC母线接合于相应半导体模块的远DC端子，同时绕过相应半导体模块的近DC端子。
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公开(公告)号：CN111226388B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201880067187.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 电力转换装置具有电子部件、冷却器、收容壳体(4)、突出管(5)和环状的密封构件(6)。密封构件(6)具有：密封主体部(61)，上述密封主体部(61)夹在突出管(5)与收容壳体(4)之间；以及凸缘部(62)，上述凸缘部(62)从密封主体部(61)向径向外侧延伸设置，并且从轴向(X)与收容壳体(4)的外侧面接触。在收容壳体(4)形成有：周壁面(41)，上述周壁面(41)从外周侧包围凸缘部(62)；以及环状槽部(42)，上述环状槽部(42)在周壁面(41)的内侧沿着凸缘部(62)的外周缘(621)。与作为收容壳体(4)中的与凸缘部接触的面的轴向接触面(43)相比，周壁面(41)形成到轴向(X)的外侧。
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公开(公告)号：CN109121461B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201780021089.1
申请日：2017-03-10
Applicant: 株式会社电装
IPC: H02M7/48
Abstract: 包括多个半导体元件(2)、控制电路部(3)。构成为使并联连接的多个半导体元件(2)同时开关动作。控制电路部(3)包括与同时动作的多个半导体元件(2)连接的驱动电路(30)、控制配线(4G)及基准配线(4KE)。控制配线(4G)将半导体元件(2)的控制电极(21G)与驱动电路(30)连接。基准配线(4KE)将半导体元件(2)的基准电极(21KE)与驱动电路(30)连接。寄生于基准配线(4KE)的电感(LKE)比寄生于控制配线(4G)的电感(LG)小。
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公开(公告)号：CN110739863A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910649811.7
申请日：2019-07-18
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种电力转换器，绝缘构件在突出方向上介于近DC母线的第一重叠部与远DC母线的第二重叠部之间。第一重叠部定位成在突出方向上比第二重叠部更靠近转换器部件。近DC端子配置成在垂直于堆叠方向和突出方向的布置方向上比远DC端子更靠近第一重叠部和第二重叠部。近DC母线和远DC母线接合于相应的近DC端子和远DC端子。远DC母线接合于相应半导体模块的远DC端子，同时绕过相应半导体模块的近DC端子。
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