公开(公告)号：CN113196500A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202080007024.3

申请日：2020-01-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 合田健太 ,  小田洋平 ,  野中裕介

IPC: H01L29/78

Abstract: 在多个沟槽栅构造之间形成有体区域(3)，并且在体区域的一部分的表面部形成有第1杂质区域(4)。体区域具有第2导电型杂质浓度比该体区域高并且与上部电极(10)接触的第2导电型接触区域(3a)。第1杂质区域具有第1导电型杂质浓度比第1杂质区域高并且与上部电极接触的第1导电型接触区域(4a)。在体区域中的没有形成第1杂质区域的部分，没有形成第1导电型接触区域且形成有第2导电型接触区域，在第1杂质区域形成有接触沟槽(4b)，在接触沟槽内形成有第1导电型接触区域。

公开(公告)号：CN109643961A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780051570.5

申请日：2017-08-23

Applicant: 株式会社电装 ,  阿尔布莱希特-路德维希-弗莱堡大学

Inventor： 合田健太 ,  O·保罗

IPC: H02N1/06 ,  B81B3/00 ,  H01G7/06

Abstract: 半导体装置具备固定电极(11)、可动电极(12)以及弹性支承体(13)。可动电极与固定电极的主面(11b)对置，沿着主面能够相对于固定电极相对移动。弹性支承体将可动电极以能够在伸缩方向上移动的方式支承。固定电极和可动电极中的一方是驻极体电极。固定电极以及可动电极在伸缩方向上周期性地形成有多个电极部。构成固定电极以及可动电极的电极部的形成周期，比从可动电极静止的状态到弹性支承体压缩最大的状态为止的可动电极的移动距离的2倍小。在可动电极静止的状态中，将主面主视时，可动电极配置在固定电极与可动电极不重叠的位置。在可动电极振动的状态中，出现固定电极与可动电极重叠的状态。

公开(公告)号：CN109643961B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201780051570.5

申请日：2017-08-23

Applicant: 株式会社电装 ,  阿尔布莱希特-路德维希-弗莱堡大学

Inventor： 合田健太 ,  O·保罗

IPC: H02N1/06 ,  B81B3/00 ,  H01G7/06

Abstract: 半导体装置具备固定电极(11)、可动电极(12)以及弹性支承体(13)。可动电极与固定电极的主面(11b)对置，沿着主面能够相对于固定电极相对移动。弹性支承体将可动电极以能够在伸缩方向上移动的方式支承。固定电极和可动电极中的一方是驻极体电极。固定电极以及可动电极在伸缩方向上周期性地形成有多个电极部。构成固定电极以及可动电极的电极部的形成周期，比从可动电极静止的状态到弹性支承体压缩最大的状态为止的可动电极的移动距离的2倍小。在可动电极静止的状态中，将主面主视时，可动电极配置在固定电极与可动电极不重叠的位置。在可动电极振动的状态中，出现固定电极与可动电极重叠的状态。

公开(公告)号：CN105723513B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201480061962.6

申请日：2014-10-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 合田健太

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 绝缘栅双极型晶体管具备由N导电型的半导体基板(1S)构成的漂移层(1)、在半导体基板的背面侧的表层部形成的P导电型的集电极层(4)及在漂移层与集电极层之间形成的N导电型且杂质浓度比漂移层高的场中止层(6)。在半导体基板的厚度方向上，寿命控制层(5)通过氦的离子注入以规定的半值宽度形成，并且场中止层通过氢的离子注入以规定的半值宽度形成。寿命控制层的半值宽度区域和场中止层的半值宽度区域构成为重叠。

公开(公告)号：CN113196500B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202080007024.3

申请日：2020-01-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 合田健太 ,  小田洋平 ,  野中裕介

IPC: H01L29/78

Abstract: 在多个沟槽栅构造之间形成有体区域(3)，并且在体区域的一部分的表面部形成有第1杂质区域(4)。体区域具有第2导电型杂质浓度比该体区域高并且与上部电极(10)接触的第2导电型接触区域(3a)。第1杂质区域具有第1导电型杂质浓度比第1杂质区域高并且与上部电极接触的第1导电型接触区域(4a)。在体区域中的没有形成第1杂质区域的部分，没有形成第1导电型接触区域且形成有第2导电型接触区域，在第1杂质区域形成有接触沟槽(4b)，在接触沟槽内形成有第1导电型接触区域。

公开(公告)号：CN115735280A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202180046868.3

申请日：2021-06-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 萩野勇志 ,  合田健太

IPC: H01L29/78

Abstract: 在主单元区域(Rm)及感测单元区域(Rs)中形成有具有相同构造的纵型MOSFET的半导体装置中，感测单元区域被规定为将作为感测单元而形成的半导体开关元件的工作区域包围的四边形的区域，将与该主单元区域的一个方向、具体而言栅极布线层(8)的较长方向相同方向的尺寸设为横向尺寸，将与该横向尺寸垂直的方向的尺寸设为纵向尺寸，纵向尺寸为横向尺寸以上。

公开(公告)号：CN116210086A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202180052027.3

申请日：2021-08-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 合田健太 ,  野中裕介 ,  萩野勇志

IPC: H01L29/417

Abstract: 单元部(2)的沿着一个方向的长度设为第2杂质区域(14)的沿着一个方向的长度，第2杂质区域用接触区域(14b)从单元部(1)延伸设置至外周部(2)。并且，设第2杂质区域用接触区域(14b)的延伸设置到外周部(2)的部分的沿着一个方向的长度为突出长度d，设第2杂质区域(14)的沿着一个方向的长度为第2杂质区域长度A，突出长度d相对于第2杂质区域长度A的比即d/A为0.1以下。

公开(公告)号：CN115989583A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052020.1

申请日：2021-08-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 泷泽伸 ,  野中裕介 ,  合田健太 ,  原田峻丞

IPC: H01L29/417

Abstract: 在具有双栅极的沟槽栅构造的半导体装置中，第1杂质区域(13)从单元部(1)延伸设置至外周部(2)，在层间绝缘膜(21)中，在外周部(2)中的比单元部(1)靠一个方向侧的部分，形成有使第1杂质区域(13)露出的第2接触孔(21b)。并且，第1电极(22)在外周部(2)中经由第2接触孔(21b)而与第1杂质区域(13)电连接。

公开(公告)号：CN110114887A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201780078606.9

申请日：2017-12-21

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山本刚 ,  合田健太 ,  原田峻丞 ,  中山喜明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置，以达到主单元区域与感测单元区域这双方的方式连续地将沟槽(5)相连，屏蔽电极(7)以及栅极电极层(8)以达到主单元区域与感测单元区域这双方的方式连续地形成。由此，在主单元区域与感测单元区域之间，不需要取得屏蔽电极(7)的接触，相应地，能够使主单元区域与感测单元区域接近。

公开(公告)号：CN105723513A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201480061962.6

申请日：2014-10-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 合田健太

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66348

Abstract: 绝缘栅双极型晶体管具备由N导电型的半导体基板(1S)构成的漂移层(1)、在半导体基板的背面侧的表层部形成的P导电型的集电极层(4)及在漂移层与集电极层之间形成的N导电型且杂质浓度比漂移层高的场中止层(6)。在半导体基板的厚度方向上，寿命控制层(5)通过氦的离子注入以规定的半值宽度形成，并且场中止层通过氢的离子注入以规定的半值宽度形成。寿命控制层的半值宽度区域和场中止层的半值宽度区域构成为重叠。