公开(公告)号：CN115989583A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052020.1

申请日：2021-08-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 泷泽伸 ,  野中裕介 ,  合田健太 ,  原田峻丞

IPC: H01L29/417

Abstract: 在具有双栅极的沟槽栅构造的半导体装置中，第1杂质区域(13)从单元部(1)延伸设置至外周部(2)，在层间绝缘膜(21)中，在外周部(2)中的比单元部(1)靠一个方向侧的部分，形成有使第1杂质区域(13)露出的第2接触孔(21b)。并且，第1电极(22)在外周部(2)中经由第2接触孔(21b)而与第1杂质区域(13)电连接。

公开(公告)号：CN109863581B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201780063822.6

申请日：2017-10-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 柳振一郎 ,  野中裕介 ,  野间诚二 ,  樱井晋也 ,  池浦奖悟 ,  笠原淳志 ,  泷泽伸

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/28 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H01L29/868

Abstract: 半导体装置具备：半导体基板(10)，具有二极管形成区域(Di)；第一导电型的上部扩散区域(20、50、70)，形成于二极管形成区域中的半导体基板的主面(10a)的表层；以及第二导电型的下部扩散区域(30、60、80)，形成于在半导体基板的深度方向上相对于主面比上部扩散区域深的位置，且杂质浓度比半导体基板的杂质浓度高。另外，下部扩散区域在比主面深的位置形成与上部扩散区域接合的PN结面(S)，并且在二极管形成区域中的下部扩散区域的杂质浓度特性中，具有表示浓度的极大值的极大点(P、P1、P2)。

公开(公告)号：CN109863581A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201780063822.6

申请日：2017-10-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 柳振一郎 ,  野中裕介 ,  野间诚二 ,  樱井晋也 ,  池浦奖悟 ,  笠原淳志 ,  泷泽伸

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/28 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H01L29/868

Abstract: 半导体装置具备：半导体基板(10)，具有二极管形成区域(Di)；第一导电型的上部扩散区域(20、50、70)，形成于二极管形成区域中的半导体基板的主面(10a)的表层；以及第二导电型的下部扩散区域(30、60、80)，形成于在半导体基板的深度方向上相对于主面比上部扩散区域深的位置，且杂质浓度比半导体基板的杂质浓度高。另外，下部扩散区域在比主面深的位置形成与上部扩散区域接合的PN结面(S)，并且在二极管形成区域中的下部扩散区域的杂质浓度特性中，具有表示浓度的极大值的极大点(P、P1、P2)。