公开(公告)号：CN104364883A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380028938.8

申请日：2013-05-27

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 饭冢和幸 ,  渡边信也 ,  舆公祥 ,  胁本大树 ,  山下佳弘 ,  佐藤慎九郎

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供具有Ga2O3基板和Ga2O3基板上的晶体品质高的氮化物半导体层的半导体层叠结构体及包括该半导体层叠结构体的半导体元件。在一个实施方式中，提供半导体层叠结构体(1)，其具有：β-Ga2O3基板(2)，其包含将从(-201)面朝向[102]方向倾斜的面作为主面(2a)的β-Ga2O3晶体；以及氮化物半导体层(4)，其包含在β-Ga2O3基板(2)的主面(2a)上通过晶体外延生长而形成的AlxGayInzN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)晶体。

公开(公告)号：CN104885195B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201380068787.9

申请日：2013-12-25

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 森岛嘉克 ,  佐藤慎九郎 ,  俊藤健 ,  饭冢和幸 ,  仓又朗人

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/22 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32

Abstract: 提供一种晶体层叠结构体和包含该晶体层叠结构体的发光元件，晶体层叠结构体能实现光输出较高的发光元件，具有Ga2O3基板和氮化物半导体层。在一实施方式中提供一种晶体层叠结构体(1)，其具有：Ga2O3基板(2)；介电体层(3)，其以部分地覆盖Ga2O3基板(2)的上表面的方式形成于Ga2O3基板(2)上，与Ga2O3基板(2)的折射率之差为0.15以下；以及氮化物半导体层(4)，其隔着介电体层(3)形成于Ga2O3基板(2)上，与介电体层(3)和Ga2O3基板(2)的上表面的没有被介电体层(3)覆盖的部分接触。

公开(公告)号：CN104736748A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380054859.4

申请日：2013-10-09

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 渡边信也 ,  胁本大树 ,  饭冢和幸 ,  舆公祥 ,  增井建和

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/34 ,  C30B15/36

CPC classification number: C30B15/34 ,  C30B15/30 ,  C30B15/36 ,  C30B29/16

Abstract: 提供一种β－Ga2O3系单晶的培养方法，能得到晶体品质高的板状的β－Ga2O3系单晶。在一实施方式中，提供β－Ga2O3系单晶的培养方法，其使用导模法，所述β－Ga2O3系单晶的培养方法包含：使板状的晶种(20)与Ga2O3系熔体(12)接触的工序和提拉晶种(20)使β－Ga2O3系单晶(25)生长的工序，所述板状的晶种(20)由全部区域的缺陷密度为5×105/cm2以下的β－Ga2O3系单晶构成。

公开(公告)号：CN104885195A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380068787.9

申请日：2013-12-25

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 森岛嘉克 ,  佐藤慎九郎 ,  俊藤健 ,  饭冢和幸 ,  仓又朗人

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/22 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32

Abstract: 提供一种晶体层叠结构体和包含该晶体层叠结构体的发光元件，晶体层叠结构体能实现光输出较高的发光元件，具有Ga2O3基板和氮化物半导体层。在一实施方式中提供一种晶体层叠结构体(1)，其具有：Ga2O3基板(2)；介电体层(3)，其以部分地覆盖Ga2O3基板(2)的上表面的方式形成于Ga2O3基板(2)上，与Ga2O3基板(2)的折射率之差为0.15以下；以及氮化物半导体层(4)，其隔着介电体层(3)形成于Ga2O3基板(2)上，与介电体层(3)和Ga2O3基板(2)的上表面的没有被介电体层(3)覆盖的部分接触。