公开(公告)号：CN104364883A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380028938.8

申请日：2013-05-27

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 饭冢和幸 ,  渡边信也 ,  舆公祥 ,  胁本大树 ,  山下佳弘 ,  佐藤慎九郎

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供具有Ga2O3基板和Ga2O3基板上的晶体品质高的氮化物半导体层的半导体层叠结构体及包括该半导体层叠结构体的半导体元件。在一个实施方式中，提供半导体层叠结构体(1)，其具有：β-Ga2O3基板(2)，其包含将从(-201)面朝向[102]方向倾斜的面作为主面(2a)的β-Ga2O3晶体；以及氮化物半导体层(4)，其包含在β-Ga2O3基板(2)的主面(2a)上通过晶体外延生长而形成的AlxGayInzN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)晶体。

公开(公告)号：CN114503378A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080069996.5

申请日：2020-09-30

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

Inventor： 猪股大介 ,  铃木理纪也 ,  新井祐辅 ,  山下佳弘 ,  泽野博之 ,  岛村清史 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉

IPC: H01S5/0225 ,  C09K11/02 ,  C09K11/64 ,  C09K11/80

Abstract: 提供一种波长转换构件(1)，具备：基板(10)；以及波长转换层(11)，其包含荧光体粒子群(12)和密封荧光体粒子群(12)的密封构件(13)，直接或隔着其它层设置在基板(10)上，在波长转换层(11)的与厚度方向平行的任意的截面中，包含荧光体粒子群(12)的截面的面积比率为50％以上的规定的区域，在波长转换层(11)的厚度为50μm以上的情况下，上述规定的区域是从波长转换层(11)的底面起的厚度为50μm且宽度为700μm的长方形的区域，在波长转换层(11)的厚度小于50μm的情况下，上述规定的区域是厚度为波长转换层(11)的厚度且宽度为700μm的长方形的区域。

公开(公告)号：CN114222801A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202080056642.7

申请日：2020-08-07

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

Inventor： 新井祐辅 ,  泽野博之 ,  猪股大介 ,  山下佳弘 ,  铃木理纪也 ,  岛村清史 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉

IPC: C09K11/80 ,  C30B29/22 ,  C30B15/00 ,  C30B33/00

Abstract: 提供一种波长转换构件(1)，其包括荧光体的烧结体，任意的切断面中的气孔的平均直径在0.28μm以上、0.98μm以下的范围内，任意的切断面中的气孔相对于全体的面积比率在0.04％以上、2.7％以下的范围内，任意的切断面中的上述荧光体的颗粒的平均直径在1μm以上、3μm以下的范围内。