公开(公告)号：CN1574231A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410048123.9

申请日：2004-06-16

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  株式会社瑞萨东日本半导体

Inventor： 小泽毅 ,  佐藤康幸

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种通过自动地探测室中的清洗终点能够提高生产量、降低清洗气体的成本以及延长工艺套件的寿命的半导体集成电路器件的制造方法。将在等离子气体发生器中转变为等离子体的清洗气体引入室，以除去室的内壁或电极上方淀积的不必要薄膜。通过调整RF电源为薄膜形成时的低输出，将高频电压施加到底电极和上电极。通过RF传感器探测该电压并通过电子模块放大。将通过电子模块因此放大的电压输入到终止控制器。当因此输入的电压变得基本上恒定在预定电压或更大的电压时，终止控制器自动地判断清洗的终止。

公开(公告)号：CN100474514C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200410048123.9

申请日：2004-06-16

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  株式会社瑞萨东日本半导体

Inventor： 小泽毅 ,  佐藤康幸

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种通过自动地探测室中的清洗终点能够提高生产量、降低清洗气体的成本以及延长工艺套件的寿命的半导体集成电路器件的制造方法。将在等离子气体发生器中转变为等离子体的清洗气体引入室，以除去室的内壁或电极上方淀积的不必要薄膜。通过调整RF电源为薄膜形成时的低输出，将高频电压施加到底电极和上电极。通过RF传感器探测该电压并通过电子模块放大。将通过电子模块因此放大的电压输入到终止控制器。当因此输入的电压变得基本上恒定在预定电压或更大的电压时，终止控制器自动地判断清洗的终止。