公开(公告)号：CN101834597A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010163012.8

申请日：2000-12-21

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 菅野雄介 ,  水野弘之 ,  阪田健 ,  渡部隆夫

IPC: H03K19/0175

CPC classification number: H03K19/0016 ,  H03K19/018521

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具备电平变换电路，由用低压电源(VDD)使电平变换电路(LSC)进行动作的升压部分和用高压电源(VDDQ)进行动作的电路部分(LSC2)构成。升压部分使用永远可以得到2×VDD电平的升压电路，以便使低压电源(VDD)可以在亚1V下进行动作。此外，使该低压电路作成为可以仅仅用可以高速动作的薄的氧化膜厚的MOSFET构成的电路构成。再有，为了使阻止在低压一侧电路CB1的睡眠模式时发生的电平变换电路的漏电流的设计容易化，在电路部分(LSC2)中，设置不需要来自外部的控制信号且在内部自律地对漏电流进行控制的电路(LPC)。

公开(公告)号：CN1700599B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200510072780.1

申请日：2000-12-21

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 菅野雄介 ,  水野弘之 ,  阪田健 ,  渡部隆夫

IPC: H03K19/0175

CPC classification number: H03K19/0016 ,  H03K19/018521

Abstract: 具备本发明的电平变换电路的半导体器件，由用低压电源(VDD)使电平变换电路(LSC)进行动作的升压部分，和用高压电源(VDDQ)进行动作的电路部分(LSC2)构成。升压部分使用永远可以得到2×VDD电平的升压电路，以便使低压电源(VDD)可以在亚1V下进行动作。此外，使该低压电路作成为可以仅仅用可以高速动作的薄的氧化膜厚的MOSFET构成的电路构成。再有，为了使阻止在低压一侧电路CB1的睡眠模式时发生的电平变换电路的漏电流的设计容易化，在电路部分(LSC2)中，设置不需要来自外部的控制信号且在内部自律地对漏电流进行控制的电路(LPC)。