公开(公告)号：CN100552957C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200510082800.3

申请日：2005-07-07

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 伊藤文俊 ,  川岛祥之 ,  坂井健志 ,  石井泰之 ,  金丸恭弘 ,  桥本孝司 ,  水野真 ,  奥山幸祐 ,  真边由起子

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 提高了具有非易失性存储单元的半导体器件的集成度和重写次数。第一MONOS型非易失性存储元件和第二MONOS型非易失性存储元件一起安装在同一衬底上，其中第二MONOS型非易失性存储元件具有比第一MONOS型非易失性存储元件更大的栅极宽度，并且第一MONOS型非易失性存储元件用于存储几乎不重写的程序数据，以及第二MONOS型非易失性存储元件用于存储频繁重写的处理数据。

公开(公告)号：CN1755934A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510082800.3

申请日：2005-07-07

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 伊藤文俊 ,  川岛祥之 ,  坂井健志 ,  石井泰之 ,  金丸恭弘 ,  桥本孝司 ,  水野真 ,  奥山幸祐 ,  真边由起子

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 提高了具有非易失性存储单元的半导体器件的集成度和重写次数。第一MONOS型非易失性存储元件和第二MONOS型非易失性存储元件一起安装在同一衬底上，其中第二MONOS型非易失性存储元件具有比第一MONOS型非易失性存储元件更大的栅极宽度，并且第一MONOS型非易失性存储元件用于存储几乎不重写的程序数据，以及第二MONOS型非易失性存储元件用于存储频繁重写的处理数据。