公开(公告)号：CN1870267A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610082652.X

申请日：2006-05-24

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 岛本泰洋 ,  由上二郎 ,  井上真雄 ,  水谷齐治

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，用于提高具有CMISFET的半导体器件的性能。构成CMISFET的n沟道型MISFET(40)、和p沟道型MISFET(41)的栅极绝缘膜(14、15)，由氮氧化硅膜构成；栅极电极(23、24)，包括位于栅极绝缘膜(14、15)上的硅膜。在栅极电极(23、24)与栅极绝缘膜(14、15)的界面附近，以1×1013～5×1014原子/cm2的面密度导入了像Hf这样的金属元素。n沟道型MISFET(40)和p沟道型MISFET(41)的沟道区域的杂质浓度，被控制在1.2×1018/cm3以下。

公开(公告)号：CN1835238A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610059663.6

申请日：2006-03-17

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 水谷齐治 ,  井上真雄 ,  由上二郎 ,  土本淳一 ,  野村幸司 ,  岛本泰洋

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/336

Abstract: MISFET(10)包括：p型衬底(1)，具有杂质浓度C的沟道区域(20)；绝缘膜(11)，形成在沟道区域(20)上且由SiO2构成；绝缘膜(12)，形成在绝缘膜(11)上且由HfSiON构成。设想另一MISFET，该MISFET包括：衬底，具有杂质浓度C的沟道区域，由与衬底(1)相同的材质构成；以及绝缘膜，形成在沟道区域上且只由SiON构成，设定沟道区域(20)的杂质浓度C，以便使沟道区域(20)中的电子迁移率的最大值变得比沟道区域中的电子迁移率的最大值高。由此，可降低电源电压，并降低功耗。