公开(公告)号：CN101290907A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810109589.3

申请日：2004-12-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 宫崎忠一 ,  阿部由之 ,  植松俊英 ,  木村稔 ,  铃木一成 ,  小田切政雄 ,  须贺秀幸 ,  高田学

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/68

Abstract: 提供一种能从切割带稳定地释放芯片的技术，包括在将压敏粘结带粘附到形成有集成电路的半导体晶片的电路形成面的同时，将半导体晶片的背表面研磨为预定厚度以及强制地氧化半导体晶片的背表面，然后释放粘附到半导体晶片的电路形成面的压敏粘结带，将切割带粘附到半导体晶片的背表面，而且通过切割将半导体晶片分别分为各个芯片，以及借助于切割带按压芯片的背表面，由此从切割带释放芯片。

公开(公告)号：CN1700424A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510066600.9

申请日：2005-04-28

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 植松俊英 ,  宫崎忠一 ,  阿部由之 ,  木村稔

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/301 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L21/3043

Abstract: 提高了薄半导体器件的可靠性。将具有环粘贴在其外围的胶带粘贴到半导体晶片的主表面，并在这种状态下，磨削和抛光半导体晶片的背表面以使晶片变薄。其后，在其中有环的胶带粘贴在晶片主表面并没有被剥离的状态下，将半导体晶片搬运到切割设备，并且从半导体晶片的背表面侧进行切割，以将晶片分割成单个半导体芯片。根据本方法，有利于通过后表面处理使半导体晶片变薄的操作。此外，因为在从后表面处理转移到切割工序的时候不需要替换胶带，所以能简化制造过程。

公开(公告)号：CN100407379C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200510066600.9

申请日：2005-04-28

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 植松俊英 ,  宫崎忠一 ,  阿部由之 ,  木村稔

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/301 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L21/3043

Abstract: 提高了薄半导体器件的可靠性。将具有环粘贴在其外围的胶带粘贴到半导体晶片的主表面，并在这种状态下，磨削和抛光半导体晶片的背表面以使晶片变薄。其后，在其中有环的胶带粘贴在晶片主表面并没有被剥离的状态下，将半导体晶片搬运到切割设备，并且从半导体晶片的背表面侧进行切割，以将晶片分割成单个半导体芯片。根据本方法，有利于通过后表面处理使半导体晶片变薄的操作。此外，因为在从后表面处理转移到切割工序的时候不需要替换胶带，所以能简化制造过程。

公开(公告)号：CN100407404C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200410103430.2

申请日：2004-12-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 宫崎忠一 ,  阿部由之 ,  植松俊英 ,  木村稔 ,  铃木一成 ,  小田切政雄 ,  须贺秀幸 ,  高田学

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/304 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/31675 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 提供一种能从切割带稳定地释放芯片的技术，包括在将压敏粘结带粘附到形成有集成电路的半导体晶片的电路形成面的同时，将半导体晶片的背表面研磨为预定厚度以及强制地氧化半导体晶片的背表面，然后释放粘附到半导体晶片的电路形成面的压敏粘结带，将切割带粘附到半导体晶片的背表面，而且通过切割将半导体晶片分别分为各个芯片，以及借助于切割带按压芯片的背表面，由此从切割带释放芯片。

公开(公告)号：CN1638095A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410103430.2

申请日：2004-12-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 宫崎忠一 ,  阿部由之 ,  植松俊英 ,  木村稔 ,  铃木一成 ,  小田切政雄 ,  须贺秀幸 ,  高田学

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/304 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/31675 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 提供一种能从切割带稳定地释放芯片的技术，包括在将压敏粘结带粘附到形成有集成电路的半导体晶片的电路形成面的同时，将半导体晶片的背表面研磨为预定厚度以及强制地氧化半导体晶片的背表面，然后释放粘附到半导体晶片的电路形成面的压敏粘结带，将切割带粘附到半导体晶片的背表面，而且通过切割将半导体晶片分别分为各个芯片，以及借助于切割带按压芯片的背表面，由此从切割带释放芯片。