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发明公开
半导体器件和存储介质无效转让

公开(公告)号：CN101226937A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810003083.4

申请日：2008-01-18

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 桥本千惠美 , 山田利夫

IPC: H01L27/04 , H01L23/522 , H01L27/092

CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件和存储介质，其目的在于降低具有构成逻辑电路的核心单元的半导体器件的电源噪声。在设在半导体衬底的主面上的构成逻辑电路的核心单元(CL)的上方，设置有与对核心单元(CL)供电的电源(Vdd)用的电源干线(PM1)电连接的支线(BL 1)和与对核心单元(CL)供电的电源(Vss)用的电源干线(PM2)电连接的支线(BL2)。使支线(BL1)和支线(BL2)彼此相对，在电源(Vdd)和电源(Vss)之间构成电容(C1)。

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