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公开(公告)号：CN1885538A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610094078.X
申请日：2006-06-22
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/00 , H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种具有能够降低熔断电流地经过了最佳化的电流熔断熔丝的半导体器件以及熔丝的熔断方法。熔丝(FS2)中以熔丝部(FP1)的折回方向成为和焊盘(PD)的排列方向平行的方式设置熔丝部(FP1)。在此，焊盘(PD)和熔丝部(FP1)的距离用与焊盘(PD)的熔丝部(FP1)相对一侧的边，和与该边相对的最接近的熔丝部(FP1)的距离定义，熔丝部(FP1)的折回部(RP)和最接近的焊盘(PD)的距离(D1)成为焊盘(PD)和熔丝部(FP1)的距离，焊盘(PD)和熔丝部(FP1)之间隔开大于等于10条熔丝的宽度的宽度。
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公开(公告)号：CN100350605C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200410062020.8
申请日：2004-06-25
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/544 , H01L27/01 , H01L21/82
CPC classification number: H01L23/544 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件在表面具有包含高反射率部(2)和平坦的低反射率部的位置对照用标记，形成多个第一嵌入部(4)，其内部包括将与第一嵌入部(4)周围不同的物质填充到第一嵌入部(4)的第一氧化硅膜(20)。在将高反射率部(2)投影到第一氧化硅膜(20)时，避开为高反射率部(2)的阴影部分区域的至少一部分上形成第一嵌入部(4)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101150113A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710006908.3
申请日：2007-01-30
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/525 , H01L27/04 , H01L21/768 , H01L21/822
CPC classification number: H01L23/5256 , H01H85/041 , H01L23/5227 , H01L23/525 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53228 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 所提供的是一种具有电熔断器结构的半导体器件，所述电熔断器结构接收电流的供给以便可以在不损坏熔断器周围部分的情况下被切断。电熔断器电连接在电路和作为备用电路的冗余电路之间。在利用树脂密封这些电路之后，熔断器可以通过从外部接收电流的供给而被切断。电熔断器形成在精细层中，且由主布线和阻挡膜制成。主布线和阻挡膜中每一个的线性膨胀系数大于每一个绝缘层的线性膨胀系数。主布线和阻挡膜中每一个的熔点低于每一个绝缘层的熔点。
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公开(公告)号：CN100559585C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200610094078.X
申请日：2006-06-22
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/00 , H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种具有能够降低熔断电流地经过了最佳化的电流熔断熔丝的半导体器件以及熔丝的熔断方法。熔丝(FS2)中以熔丝部(FP1)的折回方向成为和焊盘(PD)的排列方向平行的方式设置熔丝部(FP1)。在此，焊盘(PD)和熔丝部(FP1)的距离用与焊盘(PD)的熔丝部(FP1)相对一侧的边，和与该边相对的最接近的熔丝部(FP1)的距离定义，熔丝部(FP1)的折回部(RP)和最接近的焊盘(PD)的距离(D1)成为焊盘(PD)和熔丝部(FP1)的距离，焊盘(PD)和熔丝部(FP1)之间隔开大于等于10条熔丝的宽度的宽度。
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公开(公告)号：CN101241900A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710136231.5
申请日：2007-07-11
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明旨在提供能使用电熔丝执行可靠援救处理的半导体集成电路。本发明设置有熔丝布线、第一电极焊盘、第二电极焊盘、污染控制层及第一通孔布线和第二通孔布线。而且熔丝布线由超过预定电流值通过而切断。第一电极焊盘与熔丝布线的一侧连接。第二电极焊盘与熔丝布线的另一侧连接。经由绝缘层在熔丝布线的上层和下层中形成污染控制层。在熔丝布线的侧面，经由绝缘层形成一对第一通孔布线，它与污染控制层连接并且包围熔丝布线。关于熔丝布线，在第一通孔布线的外侧形成一对第二通孔布线，使得可以包围第一通孔布线。
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公开(公告)号：CN101079420A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710104279.8
申请日：2007-05-25
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/02 , H01L23/525
CPC classification number: G11C17/18 , G11C17/165 , G11C29/027 , G11C29/028 , G11C29/785 , H01L23/5256 , H01L27/101 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在熔丝程序电路(FPK1－FPKn)中，使用多层金属布线的第3层以上的金属布线(M(i))来实现熔丝元件FS。在各熔丝程序电路中，使用扫描触发器(FSSR和PSR)来依次传输程序信息和熔丝选择信息，有选择地逐个电切断熔丝。可以低功耗且低占有面积地实现具备即便在封装安装后也可进行编程的熔丝元件的熔丝程序电路。
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公开(公告)号：CN1577835A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062020.8
申请日：2004-06-25
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/544 , H01L27/01 , H01L21/82
CPC classification number: H01L23/544 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件在表面具有包含高反射率部(2)和平坦的低反射率部的位置对照用标记，形成多个第一嵌入部(4)，其内部包括将与第一嵌入部(4)周围不同的物质填充到第一嵌入部(4)的第一氧化硅膜(20)。在将高反射率部(2)投影到第一氧化硅膜(20)时，避开为高反射率部(2)的阴影部分区域的至少一部分上形成第一嵌入部(4)。
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