公开(公告)号：CN100334732C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN01823837.8

申请日：2001-11-30

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 酒井哲 ,  平岩笃 ,  山本智志

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，在半导体衬底(1)的表面形成了硅氧化膜(9)后，用氟酸水溶液除去形成实效膜厚薄的栅极绝缘膜的区域的硅氧化膜(9)，然后，在半导体衬底(1)上形成高介电常数绝缘膜(10)，从而在半导体衬底(1)上形成包括高介电常数绝缘膜(10)和硅氧化膜(9)的叠层膜的栅极绝缘膜(12)、以及包括高介电常数绝缘膜(10)的栅极绝缘膜(11)的2种栅极绝缘膜。

公开(公告)号：CN1620727A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN01823837.8

申请日：2001-11-30

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 酒井哲 ,  平岩笃 ,  山本智志

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，在半导体衬底(1)的表面形成了硅氧化膜(9)后，用氟酸水溶液除去形成实效膜厚薄的栅极绝缘膜的区域的硅氧化膜(9)，然后，在半导体衬底(1)上形成高介电常数绝缘膜(10)，从而在半导体衬底(1)上形成包括高介电常数绝缘膜(10)和硅氧化膜(9)的叠层膜的栅极绝缘膜(12)、以及包括高介电常数绝缘膜(10)的栅极绝缘膜(11)的2种栅极绝缘膜。