半导体集成电路
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101471652A

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:CN200810184445.4

    申请日:2008-12-24

    CPC classification number: H03K19/0016

    Abstract: 本发明提供一种在装载了多个功能块的SoC中适用于基于向量输入的漏电流削减方法的扫描链结构及其控制方法。该半导体集成电路器件包括具有多个功能块的多个电源块(Area1~AreaN)、能够对电源块提供工作用电源的电源开关(PSW1~PSWN)、对每个电源块设置的扫描链、对扫描链提供能够转变为低漏电状态的向量的存储部(VEC),通过将扫描链改为仅连接非工作的功能块,而能在短时间内转变为低漏电状态。

    片内电流测量方法和半导体集成电路

    公开(公告)号:CN101201388A

    公开(公告)日:2008-06-18

    申请号:CN200710199829.9

    申请日:2007-12-13

    Abstract: 本发明提供一种片内电流测量方法和半导体集成电路,用于测量芯片在正常工作状态下的电路块的电流。该半导体集成电路包括:具有预定功能的电路块(C1);能对上述电路块提供工作用电源的电源开关(PSW1);以及根据上述电源开关被接通状态下的电源开关的端子间电压和电源开关的导通电阻,算出流入上述电路块的电流的电流测量电路(100)。根据上述电源开关被接通状态下的上述电源开关的端子间电压和上述电源开关的导通电阻,算出流入上述电路块的电流,从而能够测量芯片在正常工作状态下的电路块的电流。

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