公开(公告)号：CN101521180A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910009597.5

申请日：2009-02-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 坂下真介 ,  川原孝昭 ,  由上二郎

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/283 ,  H01L27/092 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 本发明提供一种多个半导体元件分别具有所期望的特性且可靠性高的半导体装置、以及可容易地制造该半导体装置的半导体装置的制造方法。在栅极绝缘膜6的上表面上，遍及整个表面形成厚度为3～30nm的栅电极用金属膜M。接着，在栅电极用金属膜M的上表面中仅属于nFET区域Rn内的部分上，遍及整个表面形成与栅电极用金属膜M为不同种材料、且厚度为10nm以下的n侧盖层8A。其后进行热处理，使n侧盖层8A向其正下方的栅电极用金属膜M内扩散并反应，从而在nFET区域Rn内形成n侧栅电极用金属膜MA。此后，堆积多晶Si层，并实施栅电极加工。