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发明公开
半导体器件无效转让

公开(公告)号：CN101355083A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810128037.7

申请日：2008-07-10

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 岛田将树 , 山田利夫 , 伊东久范 , 古贺克洋

IPC: H01L27/04 , H01L23/522

CPC classification number: H01L27/11803 , H01L27/0207

Abstract: 提供一种半导体器件技术，能够实现半导体器件的高集成。标准单元设置在n－型阱中，并且包括p+－型扩散层和n+－型扩散层，其覆盖有金属硅化物膜。p+－型扩散层构成MIS晶体管的源极/漏极，并且n+－型扩散层构成抽头。p+－型扩散层经由接触电连接到布线层，并且n+－型扩散层经由接触电连接到布线层。此外，p+－型扩散层与n+－型扩散层接触。提供给MIS晶体管的源极节点的电源电势使用两层来提供，即，扩散层和布线层。

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