公开(公告)号：CN101180683B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200580049865.6

申请日：2005-09-21

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 长田健一 ,  北井直树 ,  河原尊之 ,  柳泽一正

IPC: G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C7/04 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/79

Abstract: 例如在使相变元件变为结晶状态的置位动作(SET)时，对相变元件首先施加为了把元件熔化所需要的电压(Vreset)的脉冲后，接着施加比电压(Vreset)还低的、用于使元件结晶所需要的电压(Vset)的脉冲。然后，使该电压(Vset)的大小依存于外界温度而变化，越变得高温(TH)则电压(Vset)的大小越小。据此，置位动作和使元件变为非晶状态的复位动作(RESET)之间的写入动作容限提高。

公开(公告)号：CN101180683A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200580049865.6

申请日：2005-09-21

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 长田健一 ,  北井直树 ,  河原尊之 ,  柳泽一正

IPC: G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C7/04 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/79

Abstract: 例如在使相变元件变为结晶状态的置位动作(SET)时，对相变元件首先施加为了把元件熔化所需要的电压(Vreset)的脉冲后，接着施加比电压(Vreset)还低的、用于使元件结晶所需要的电压(Vset)的脉冲。然后，使该电压(Vset)的大小依存于外界温度而变化，越变得高温(TH)则电压(Vset)的大小越小。据此，置位动作和使元件变为非晶状态的复位动作(RESET)之间的写入动作容限提高。