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公开(公告)号：CN101175875A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200680016083.7
申请日：2006-05-12
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C30B9/12 , C30B29/403 , C30B35/00 , Y10T117/1024
Abstract: 一种III族氮化物结晶的制造方法、III族氮化物结晶的制造装置及III族氮化物结晶，III族氮化物结晶的制造方法是将保持含有III族金属和助熔剂的溶液的溶液保持容器收容于反应容器内，并经配管自外部向所述反应容器内供给含氮的物质，同时制造III族氮化物结晶的方法，其中，该方法中设有如下工序，在所述溶液保持容器内使III族氮化物结晶成长之前，在所述配管内形成液体滞留部，并利用该滞留部将所述配管暂时堵塞。
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公开(公告)号：CN104831361A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510083163.5
申请日：2011-07-01
Applicant: 株式会社理光 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/10 , C30B19/08 , C30B19/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明的实施例公开了一种氮化物晶体及其制造方法。该氮化物晶体围绕籽晶的外周，一实施例中的氮化物晶体包括：第一局部区域和第二局部区域，并且第二局部区域具有不同于第一局部区域的光学特性，且具有表明晶向的光学特性。
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公开(公告)号：CN1954101A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200680000230.1
申请日：2006-03-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/00 , C30B15/00 , C30B15/32 , C30B17/00 , C30B19/06 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明涉及一种III族氮化物结晶的制造方法，该方法在保持有包含III族金属、碱金属和氮的熔融液的保持容器内使晶种生长，包括：使上述晶种与上述熔融液接触的步骤、在接触上述熔融液的状态下将上述晶种的环境设定为偏离结晶生长条件的第1状态的步骤、增加上述熔融液中的氮浓度的步骤、和上述熔融液的氮浓度达到适合使上述晶种结晶生长的浓度时将上述晶种的环境设定为适合结晶生长条件的第2状态的步骤。
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公开(公告)号：CN102383181B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110254068.9
申请日：2011-08-31
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 岩田浩和
CPC classification number: C30B29/406 , C01B21/0632 , C30B9/00 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/38 , C30B29/403 , H01B1/06 , H01L33/0075 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明涉及制备n-型III族氮化物单晶的方法、所述单晶、和晶体基板。制备n-型III族氮化物单晶的方法包括将至少包括包含III族元素的物质、碱金属、和氧化硼的原料放入反应容器中；通过将反应容器加热到氧化硼的熔点使氧化硼熔融；通过将反应容器加热到III族氮化物的晶体生长温度在反应容器中形成包括所述III族元素、所述碱金属、和所述氧化硼的混合熔体；通过使含氮气体与所述混合熔体接触将氮溶解到所述混合熔体中；和由溶解在混合熔体中的III族元素、氮、和氧化硼中的氧生长以氧作为给体掺杂的n-型III族氮化物单晶。
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公开(公告)号：CN102892933A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180023952.X
申请日：2011-03-14
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明制造了可切出实用尺寸的结晶基板的大型的大块晶体。本发明的氮化镓结晶的特征在于，其c轴的长度L为9mm以上，与c轴垂直的截面的晶体直径d为100μm以上，c轴的长度L和与c轴垂直的截面的晶体直径d之比L/d为7以上。通过使该长尺寸的针状晶体变肥大，能够制造体积大的大块晶体，从而能够制造出可切出实用尺寸的结晶基板的大型的大块晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1954101B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680000230.1
申请日：2006-03-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/00 , C30B15/00 , C30B15/32 , C30B17/00 , C30B19/06 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明涉及一种III族氮化物结晶的制造方法，该方法在保持有包含III族金属、碱金属和氮的熔融液的保持容器内使晶种生长，包括：使上述晶种与上述熔融液接触的步骤、在接触上述熔融液的状态下将上述晶种的环境设定为偏离结晶生长条件的第1状态的步骤、增加上述熔融液中的氮浓度的步骤、和上述熔融液的氮浓度达到适合使上述晶种结晶生长的浓度时将上述晶种的环境设定为适合结晶生长条件的第2状态的步骤。
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公开(公告)号：CN118830151A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380025379.9
申请日：2023-03-14
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 面发光激光器包括:第一反射镜；第二反射镜；位于第一反射镜和第二反射镜之间且包括有源层的谐振器，以及导电层。谐振器还包括:第一层，其包括具有第一带隙的第一p型半导体层，第一层具有接触导电层的第一面和与所述第一面相反的第二面，以及第二层，其包括具有比第一带隙大的第二带隙的第二p型半导体层，第二层在所述第一层和有源层之间。第二p型半导体层接触第一层的第二面。导电层接触第一层的第一面的至少一部分以及第一层与第二层之间的界面。
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公开(公告)号：CN102892933B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201180023952.X
申请日：2011-03-14
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明制造了可切出实用尺寸的结晶基板的大型的大块晶体。本发明的氮化镓结晶的特征在于，其c轴的长度L为9mm以上，与c轴垂直的截面的晶体直径d为100μm以上，c轴的长度L和与c轴垂直的截面的晶体直径d之比L/d为7以上。通过使该长尺寸的针状晶体变肥大，能够制造体积大的大块晶体，从而能够制造出可切出实用尺寸的结晶基板的大型的大块晶体。
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公开(公告)号：CN102383181A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110254068.9
申请日：2011-08-31
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 岩田浩和
CPC classification number: C30B29/406 , C01B21/0632 , C30B9/00 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/38 , C30B29/403 , H01B1/06 , H01L33/0075 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明涉及制备n-型III族氮化物单晶的方法、所述单晶、和晶体基板。制备n-型III族氮化物单晶的方法包括将至少包括包含III族元素的物质、碱金属、和氧化硼的原料放入反应容器中；通过将反应容器加热到氧化硼的熔点使氧化硼熔融；通过将反应容器加热到III族氮化物的晶体生长温度在反应容器中形成包括所述III族元素、所述碱金属、和所述氧化硼的混合熔体；通过使含氮气体与所述混合熔体接触将氮溶解到所述混合熔体中；和由溶解在混合熔体中的III族元素、氮、和氧化硼中的氧生长以氧作为给体掺杂的n-型III族氮化物单晶。
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公开(公告)号：CN102345170A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110276053.2
申请日：2011-07-01
Applicant: 株式会社理光 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/10 , C30B19/08 , C30B19/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明的实施例公开了一种氮化物晶体及其制造方法。该氮化物晶体围绕籽晶的外周，一实施例中的氮化物晶体包括：第一局部区域和第二局部区域，并且第二局部区域具有不同于第一局部区域的光学特性，且具有表明晶向的光学特性。
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