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公开(公告)号：CN101395711A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007217.3
申请日：2007-04-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , B65G49/06 , C23C14/56
CPC classification number: C23C14/568 , B65G49/061 , B65G49/066 , B65G49/067 , B65G2249/02 , B65G2249/04 , C23C14/50 , H01L21/68707 , H01L21/68721 , H01L21/68764 , H01L21/68778
Abstract: 本发明提供与基板的运送姿势无关、在任意面上都能成膜、且可与非成膜面不干涉地支承并运送基板的纵式基板运送装置和成膜装置。本发明的成膜装置(1)，备有可处理基板(W)的任意面地支承着上述基板的托架(15)、变换托架(15)的运送姿势的第1姿势变换部(3)、收容已变换了姿势的托架并将该托架运送到成膜室(10)的运送室(9)。采用上述构造，可以与基板(W)的运送姿势无关地、对任意面实施成膜处理。另外，在基板(W)的运送途中，可以变更成膜面(Wa)。另外，可以使托架(15)不与基板(W)的非成膜面干涉地支承着基板(W)。
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公开(公告)号：CN101395711B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200780007217.3
申请日：2007-04-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , B65G49/06 , C23C14/56
CPC classification number: C23C14/568 , B65G49/061 , B65G49/066 , B65G49/067 , B65G2249/02 , B65G2249/04 , C23C14/50 , H01L21/68707 , H01L21/68721 , H01L21/68764 , H01L21/68778
Abstract: 本发明提供与基板的运送姿势无关、在任意面上都能成膜、且可与非成膜面不干涉地支承并运送基板的纵式基板运送装置和成膜装置。本发明的成膜装置(1)，备有可处理基板(W)的任意面地支承着上述基板的托架(15)、变换托架(15)的运送姿势的第1姿势变换部(3)、收容已变换了姿势的托架并将该托架运送到成膜室(10)的运送室(9)。采用上述构造，可以与基板(W)的运送姿势无关地、对任意面实施成膜处理。另外，在基板(W)的运送途中，可以变更成膜面(Wa)。另外，可以使托架(15)不与基板(W)的非成膜面干涉地支承着基板(W)。
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公开(公告)号：CN101657563A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880012357.4
申请日：2008-04-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/564 , Y10T428/12361
Abstract: 一种伪基板，为应用于直列式反应性溅射装置的伪基板，其主体由在矩形金属板上形成有相似形状的开口部的矩形板状的框体构成，通过该主体，覆盖托架的与主体的接触部分。由此，即使在溅射装置运行过程中，也不会发生玻璃破裂等不良情况，能够大幅地提高伪基板的使用次数。此外，通过伪基板持续覆盖与托架的接触部分，能够防止残存于溅射成膜室内的物质，尤其是化合物薄膜堆积在该托架与基板的接触部分上，能够防止由于化合物薄膜的堆积引起的异常放电等不良情况。结果是，能够以比以前更短的时间、并且有效而低成本地进行通过溅射法形成化合物薄膜的装置的启动(开启)、该装置成膜条件的维持或变更及该装置的停止(关闭)。
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公开(公告)号：CN101861410A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200980101012.0
申请日：2009-01-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/542 , H01J37/3408 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的溅射成膜方法，是使用在靶的背面侧配置有磁铁的磁控阴极，在所述靶的表面侧沿第一方向搬送基板，同时使所述磁铁沿所述第一方向以及与所述第一方向相反的第二方向往复移动，在所述基板上进行溅射成膜的溅射成膜方法，使所述磁铁在所述第一方向上的移动速度与在所述第二方向上的移动速度不同，来进行溅射成膜。
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公开(公告)号：CN101641272A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880009163.9
申请日：2008-04-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: B65G49/06 , C23C14/56 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67748 , B65G49/061 , B65G49/062 , B65G49/063 , B65G49/068 , B65G2249/02 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/56 , H01L21/67161 , H01L21/6719 , H01L21/67236 , H01L21/67751
Abstract: 一种输送机和成膜装置及其维护方法。在具有框架、支撑纵向放置有基板的托架并输送托架的下部支撑机构、和支撑托架的上部支撑机构的输送机中，框架由下部框架和上部框架构成，下部支撑机构设置于下部框架上，上部支撑架构设置于上部框架上，上部框架能够与下部框架分离而移动。于是，通过旋转上部框架，能够将阴极部件配置在形成于下部框架上方的空间内，因此可以使成膜处理路径与托架输送路径之间的间隔狭窄。因此，由于可以使成膜装置的内部区域狭窄，可以在能够输送托架的输送机以及具有该输送机并具有真空处理装置和输送系统的成膜装置中，使其设置面积狭小化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101861410B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200980101012.0
申请日：2009-01-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/542 , H01J37/3408 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的溅射成膜方法，是使用在靶的背面侧配置有磁铁的磁控阴极，在所述靶的表面侧沿第一方向搬送基板，同时使所述磁铁沿所述第一方向以及与所述第一方向相反的第二方向往复移动，在所述基板上进行溅射成膜的溅射成膜方法，使所述磁铁在所述第一方向上的移动速度与在所述第二方向上的移动速度不同，来进行溅射成膜。
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公开(公告)号：CN101663744A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200880012964.0
申请日：2008-04-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/673 , B65D85/86 , B65G49/06 , B65G49/07
CPC classification number: B65G49/061 , B65G49/062 , B65G49/063 , B65G2249/02
Abstract: 一种支撑部件以及托架和支撑方法，具有被旋转自如地安装的支撑部件主体，支撑部件主体具有从旋转中心轴呈放射状延伸设置的多个突起，由于使突起抵接到基板的端部来支撑基板，能够防止基板产生裂纹，并且能够使支撑部件主体长寿命化。
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公开(公告)号：CN101663744B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200880012964.0
申请日：2008-04-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/673 , B65D85/86 , B65G49/06 , B65G49/07
CPC classification number: B65G49/061 , B65G49/062 , B65G49/063 , B65G2249/02
Abstract: 一种支撑部件以及托架和支撑方法，具有被旋转自如地安装的支撑部件主体，支撑部件主体具有从旋转中心轴呈放射状延伸设置的多个突起，由于使突起抵接到基板的端部来支撑基板，能够防止基板产生裂纹，并且能够使支撑部件主体长寿命化。
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公开(公告)号：CN101641272B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200880009163.9
申请日：2008-04-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: B65G49/06 , C23C14/56 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67748 , B65G49/061 , B65G49/062 , B65G49/063 , B65G49/068 , B65G2249/02 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/56 , H01L21/67161 , H01L21/6719 , H01L21/67236 , H01L21/67751
Abstract: 一种输送机和成膜装置及其维护方法。在具有框架、支撑纵向放置有基板的托架并输送托架的下部支撑机构、和支撑托架的上部支撑机构的输送机中，框架由下部框架和上部框架构成，下部支撑机构设置于下部框架上，上部支撑架构设置于上部框架上，上部框架能够与下部框架分离而移动。于是，通过旋转上部框架，能够将阴极部件配置在形成于下部框架上方的空间内，因此可以使成膜处理路径与托架输送路径之间的间隔狭窄。因此，由于可以使成膜装置的内部区域狭窄，可以在能够输送托架的输送机以及具有该输送机并具有真空处理装置和输送系统的成膜装置中，使其设置面积狭小化。
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公开(公告)号：CN101657563B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200880012357.4
申请日：2008-04-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/564 , Y10T428/12361
Abstract: 一种伪基板，为应用于直列式反应性溅射装置的伪基板，其主体由在矩形金属板上形成有相似形状的开口部的矩形板状的框体构成，通过该主体，覆盖托架的与主体的接触部分。由此，即使在溅射装置运行过程中，也不会发生玻璃破裂等不良情况，能够大幅地提高伪基板的使用次数。此外，通过伪基板持续覆盖与托架的接触部分，能够防止残存于溅射成膜室内的物质，尤其是化合物薄膜堆积在该托架与基板的接触部分上，能够防止由于化合物薄膜的堆积引起的异常放电等不良情况。结果是，能够以比以前更短的时间、并且有效而低成本地进行通过溅射法形成化合物薄膜的装置的启动(开启)、该装置成膜条件的维持或变更及该装置的停止(关闭)。
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