公开(公告)号：CN1281781C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN02147047.2

申请日：2002-10-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 末代政辅 ,  宍仓真人 ,  大空弘树

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明提供连续进行溅射处理的技术。具体地说，在本发明的溅射方法中，把第一基板送入垂直设有靶的处理室中并且使该第一基板平行于该靶，在所述处理室内输入溅射气体地溅射该靶并由此在该第一基板的表面上形成膜。本发明规定，在该处理室通过闸阀与输送室连接的情况下，在该第一基板的溅射过程中，打开所述闸阀地把随后要进行溅射处理的第二基板送入该处理室中。由于在溅射中在处理室中送入未处理的基板，所以送入时间没有白白浪费掉。

公开(公告)号：CN1414134A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN02147047.2

申请日：2002-10-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 末代政辅 ,  宍仓真人 ,  大空弘树

IPC: C23C14/34

Abstract: 提供连续进行溅射处理的技术。在使处理室内的保持板12处于竖立姿势，溅射靶26地在保持于保持板12上的基板5a的表面上形成薄膜，在此过程中，使未处理的基板5b承载于在输送室内的基板输送机械手的手43上，使输送室内压力与处理室内压力变成一样并把基板5b送入处理室中，并将基板承载于处于水平姿势的保持板11上。由于在溅射中在处理室中送入未处理的基板，所以送入时间没有白白浪费掉。