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公开(公告)号：CN110800098B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201880042663.6
申请日：2018-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01G4/30 , H01G4/33 , H01L27/04
Abstract: 薄膜电容器(100)具备：下部电极(120)；介电膜(130)；上部电极(140)；第1保护膜(151)，其分别形成有使上部电极(140)开口的第1贯通孔(CH11)和使下部电极(120)开口的第2贯通孔(CH12)且具有第1上表面(150A)；第2保护膜(152)，其具有处于比第1保护膜151的第1上表面150A高的位置的第2上表面(150B)；第1端子电极(161)，其通过第1贯通孔(CH11)而与上部电极(140)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置；以及第2端子电极(162)，其通过第2贯通孔(CH12)而与下部电极(120)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置。
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公开(公告)号：CN106796979B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201580050306.0
申请日：2015-07-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种安装基板，在安装基板(10)所具备的基材(20)的背面形成有外部连接用电极，在表面形成有安装用电极(71、72)。另外，在基材(20)的厚度方向形成有连接外部连接用电极与安装用电极(71、72)的孔内电极(51、52)。在基材(20)与安装用电极(71、72)之间形成含有Al的反射膜(40)。反射膜(40)被绝缘膜层(41)覆盖，在俯视观察下，在孔内电极(51、52)的形成区域具有开口(40A、40B)。反射膜(40)在俯视观察下具有外周从包括安装用电极(71、72)的导体形成区域(73)分离一定距离的大小。开口(40A、40B)在俯视观察下小于安装用电极(71、72)。由此，防止反射膜的变质，来抑制发光效率降低。
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公开(公告)号：CN110959188A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201880048521.0
申请日：2018-07-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明的目的在于提供抑制保护层电容，且即使在高温时、高湿度时也具有较高的Q值的电容器。本发明的一侧面所涉及的电容器具备：基板；下部电极，形成在基板上；介电膜，形成在下部电极上；上部电极，形成在介电膜上的局部；保护层，覆盖下部电极以及上部电极；以及外部电极，贯通保护层，在从上方观察电容器的俯视时，外部电极仅形成在被上部电极的周缘划定的区域内。
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公开(公告)号：CN106796979A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580050306.0
申请日：2015-07-21
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L33/60 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L25/167 , H01L29/866 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2933/0066 , H02H9/045
Abstract: 本发明提供一种安装基板，在安装基板(10)所具备的基材(20)的背面形成有外部连接用电极，在表面形成有安装用电极(71、72)。另外，在基材(20)的厚度方向形成有连接外部连接用电极与安装用电极(71、72)的孔内电极(51、52)。在基材(20)与安装用电极(71、72)之间形成含有Al的反射膜(40)。反射膜(40)被绝缘膜层(41)覆盖，在俯视观察下，在孔内电极(51、52)的形成区域具有开口(40A、40B)。反射膜(40)在俯视观察下具有外周从包括安装用电极(71、72)的导体形成区域(73)分离一定距离的大小。开口(40A、40B)在俯视观察下小于安装用电极(71、72)。由此，防止反射膜的变质，来抑制发光效率降低。
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公开(公告)号：CN110959188B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201880048521.0
申请日：2018-07-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明的目的在于提供抑制保护层电容，且即使在高温时、高湿度时也具有较高的Q值的电容器。本发明的一侧面所涉及的电容器具备：基板；下部电极，形成在基板上；介电膜，形成在下部电极上；上部电极，形成在介电膜上的局部；保护层，覆盖下部电极以及上部电极；以及外部电极，贯通保护层，在从上方观察电容器的俯视时，外部电极仅形成在被上部电极的周缘划定的区域内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111492471A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880082364.5
申请日：2018-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , G01N27/16 , H01L21/316 , H01L27/04
Abstract: 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有相互对置的第一主面(110A)以及第二主面(110B)；以及多孔金属氧化膜(180)，形成在半导体基板(110)的第一主面(110A)侧，并且具有多个细孔。半导体基板(110)构成为：在第一主面(110A)侧具有与多孔金属氧化膜(180)电连接的连接部(111)，并且从第二主面(110B)侧到第一主面(110A)侧的连接部(111)提供供电路径。
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公开(公告)号：CN109923630A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780066804.3
申请日：2017-10-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33 , H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 电容器具备：基板，其具有第1主面和第2主面；下部电极，其设置在上述第1主面上；介电膜，其设置在上述下部电极上；以及上部电极，其设置在上述介电膜上，在俯视上述第1主面时，上述下部电极和上述上部电极中至少一者具备：具有矩形形状的第1区域、和从上述第1区域的至少一个边突出的至少一个第2区域。
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公开(公告)号：CN111492471B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201880082364.5
申请日：2018-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , G01N27/16 , H01L21/316 , H01L27/04
Abstract: 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有相互对置的第一主面(110A)以及第二主面(110B)；以及多孔金属氧化膜(180)，形成在半导体基板(110)的第一主面(110A)侧，并且具有多个细孔。半导体基板(110)构成为：在第一主面(110A)侧具有与多孔金属氧化膜(180)电连接的连接部(111)，并且从第二主面(110B)侧到第一主面(110A)侧的连接部(111)提供供电路径。
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公开(公告)号：CN109923630B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201780066804.3
申请日：2017-10-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33 , H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 电容器具备：基板，其具有第1主面和第2主面；下部电极，其设置在上述第1主面上；介电膜，其设置在上述下部电极上；以及上部电极，其设置在上述介电膜上，在俯视上述第1主面时，上述下部电极和上述上部电极中至少一者具备：具有矩形形状的第1区域、和从上述第1区域的至少一个边突出的至少一个第2区域。
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公开(公告)号：CN110800098A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201880042663.6
申请日：2018-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01G4/30 , H01G4/33 , H01L27/04
Abstract: 薄膜电容器(100)具备：下部电极(120)；介电膜(130)；上部电极(140)；第1保护膜(151)，其分别形成有使上部电极(140)开口的第1贯通孔(CH11)和使下部电极(120)开口的第2贯通孔(CH12)且具有第1上表面(150A)；第2保护膜(152)，其具有处于比第1保护膜151的第1上表面150A高的位置的第2上表面(150B)；第1端子电极(161)，其通过第1贯通孔(CH11)而与上部电极(140)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置；以及第2端子电极(162)，其通过第2贯通孔(CH12)而与下部电极(120)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置。
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