分波装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105850038B

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201480070895.4

    申请日:2014-12-22

    Inventor: 筏克弘

    Abstract: 分波装置(10)包括开关(SW1)、固定滤波电路(11)及可调滤波器(TF1)。开关(SW1)具有公共端子(Ps11)、独立端子(Ps12、Ps13)。固定滤波电路(11)与独立端子(Ps12)相连接,通频带被固定。可调滤波器(TF1)与独立端子(Ps13)相连接,通频带为可调。固定滤波电路(11)包含有通频带不同的滤波器(FIL1、FIL2)。滤波器(FIL1、FIL2)的通频带对应于载波聚合所使用的频段。

    表面声波滤波器和使用它的通信装置

    公开(公告)号:CN1267132A

    公开(公告)日:2000-09-20

    申请号:CN00103787.0

    申请日:2000-03-10

    Inventor: 筏克弘

    CPC classification number: H03H9/1071 H03H9/6483

    Abstract: 本发明提供了一种表面声波滤波器,它包括表面声波元件,该表面声波元件包含压电基片,所述压电基片具有设置在其上的IDT、输入/输出端子和基准电位端子,以及封壳,所述封壳封装了表面声波元件,并具有电极接合区和外部端子。谐振器的谐振频率(由封壳的外部端子的基准电位端子产生的电感确定)位于超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率附近。

    声表面波器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1219003A

    公开(公告)日:1999-06-09

    申请号:CN98118642.4

    申请日:1998-08-21

    Inventor: 筏克弘

    CPC classification number: H03H9/72 H03H9/0576 H03H2250/00

    Abstract: 一种声表面波器件,其中第一和第二SAW滤波器并联在连接到输入终端或输出终端的连接点处。声表面波器件包括在第二SAW滤波器的通带中具有容性阻抗,并且具有比第二SAW滤波器的通带更高的通带的第一SAW滤波器,和在第一SAW滤波器的通带中具有容性阻抗,并具有比第一SAW滤波器的通带更低的通带的第二SAW滤波器。第二SAW滤波器并联在第一SAW滤波器输入端或输出端侧的连接点。

    压电器件
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101911485B

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN200980101968.0

    申请日:2009-01-06

    Abstract: 本发明提供一种不改变IDT电极和支撑层之间的距离就能改善温度特性的压电器件。一种压电器件包括:(a)压电基板,(b)形成在压电基板的一个主表面(11a)上、含IDT电极(12)的导电图案,(c)在压电基板的一个主表面(11a)上,围绕在形成有IDT电极(12)的IDT形成区域的周围、且具有比IDT电极(12)的厚度更大厚度的支撑层(20),以及(d)在支撑层之上配置的、覆盖IDT形成区域的覆盖层。在支撑层(20)中,至少在靠近IDT形成区域的区域的多个部位,形成部分地去除了与压电基板的一个主表面(11a)粘合的部分的去除部(24)。

    表面声波滤波器和使用它的通信装置

    公开(公告)号:CN1167196C

    公开(公告)日:2004-09-15

    申请号:CN00103787.0

    申请日:2000-03-10

    Inventor: 筏克弘

    CPC classification number: H03H9/1071 H03H9/6483

    Abstract: 本发明提供了一种表面声波滤波器,它包括表面声波元件,该表面声波元件包含压电基片,所述压电基片具有设置在其上的IDT、输入/输出端子和基准电位端子,以及封壳,所述封壳封装了表面声波元件,并具有电极接合区和外部端子。谐振器的谐振频率(由封壳的外部端子的基准电位端子产生的电感确定)位于超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率附近。

    声表面波设备的制造方法

    公开(公告)号:CN1162961C

    公开(公告)日:2004-08-18

    申请号:CN01111663.3

    申请日:2001-03-15

    CPC classification number: H03H3/08 Y10T29/42

    Abstract: 一种声表面波设备的制造方法,包含步骤:形成第一导电薄膜;沉淀第一抗蚀膜;和使第一抗蚀膜形成图案;去掉设置导电薄膜;在压电基片的整个表面上沉淀第二抗蚀膜,和加热第二抗蚀膜,使第二声表面波装置的电极位置上的第二抗蚀膜形成图案;形成第二导电薄膜;通过剥离法去掉第二抗蚀膜,以形成第二声表面波装置的电极,并使第一声表面波装置的电极暴露;和使第一声表面波装置中的短路的布线电极分开。

    声表面波装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1278123A

    公开(公告)日:2000-12-27

    申请号:CN00108998.6

    申请日:2000-05-26

    Abstract: 本发明提供了一个声表面波装置,其特征在于包含压电基片,具有设置在所述压电基片上的至少一个叉指式换能器的第一声表面波元件,具有设置在所述压电基片上的至少一个叉指式换能器的第二声表面波元件。第二声表面波元件的至少一个叉指式换能器的厚度不同于第一声表面波元件的叉指式换能器的厚度,并且第二声表面波元件的频率特性不同于第一声表面波元件。将绝缘薄膜提供给第一和第二声表面波元件。在第一声表面波元件上的区域的绝缘薄膜的厚度不同于第二声表面波元件上的区域的厚度。

    声表面波谐振器滤波器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1112750A

    公开(公告)日:1995-11-29

    申请号:CN95105719.7

    申请日:1995-05-10

    Inventor: 平石明 筏克弘

    CPC classification number: H03H9/6433 H03H9/6436 H03H9/6463

    Abstract: 声表面波谐振器滤波器具有改善的群时延特性。该滤波器包括三个形成在压电基片上的能量限制声表面波谐振器滤波节。第二谐振器滤波节被设置在第一和第三谐振器滤波节之间。第二滤波节的高阶垂直模中的一个频率被设定在第一和第三滤波节的高阶垂直模中一个频率的较低频率端。

    表面声波滤波器和使用它的通信装置

    公开(公告)号:CN1315256C

    公开(公告)日:2007-05-09

    申请号:CN200410004044.8

    申请日:2000-03-10

    Inventor: 筏克弘

    CPC classification number: H03H9/1071 H03H9/6483

    Abstract: 本发明提供了一种表面声波滤波器,它包括表面声波元件,该表面声波元件包含压电基片,所述压电基片具有设置在其上的IDT、输入/输出端子和基准电位端子,以及封壳,所述封壳封装了表面声波元件,并具有电极接合区和外部端子。谐振器的谐振频率(由封壳的外部端子的基准电位端子产生的电感确定)位于超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率附近。

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