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公开(公告)号:CN1068472C
公开(公告)日:2001-07-11
申请号:CN95105719.7
申请日:1995-05-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/6433 , H03H9/6436 , H03H9/6463
Abstract: 声表面波谐振器滤波器具有改善的群时延特性。该滤波器包括三个形成在压电基片上的能量限制声表面波谐振器滤波节。第二谐振器滤波节被设置在第一和第三谐振器滤波节之间。第二滤波节的高阶垂直模中的一个频率被设定在第一和第三滤波节的高阶垂直模中一个频率的较低频率端。
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公开(公告)号:CN1075287C
公开(公告)日:2001-11-21
申请号:CN96101976.X
申请日:1996-03-22
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02834 , H03H9/6433
Abstract: 一种表面声波谐振腔滤波器,包括多个IDT,彼此紧挨地在36°Y截面X向传播式LiTaO3基片上设置;多个反射器,设置在所述多个IDT的两侧,IDT和反射器的各电极由或主要由铝构成的铝合金制成;SiO2薄膜形成得将IDT和反射器都覆盖住。电极厚度比H/λ和SiO2薄膜厚度比H/λ设定在2.6%≤T/λ≤4.8%,22%≤H/λ≤38%的范围内,其中T表示所述IDT各电极的厚度,H表示所述SiO2薄膜的厚度,λ表示表面声波的波长。
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公开(公告)号:CN1112750A
公开(公告)日:1995-11-29
申请号:CN95105719.7
申请日:1995-05-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/6433 , H03H9/6436 , H03H9/6463
Abstract: 声表面波谐振器滤波器具有改善的群时延特性。该滤波器包括三个形成在压电基片上的能量限制声表面波谐振器滤波节。第二谐振器滤波节被设置在第一和第三谐振器滤波节之间。第二滤波节的高阶垂直模中的一个频率被设定在第一和第三滤波节的高阶垂直模中一个频率的较低频率端。
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公开(公告)号:CN1134627A
公开(公告)日:1996-10-30
申请号:CN96101976.X
申请日:1996-03-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/72
CPC classification number: H03H9/02834 , H03H9/6433
Abstract: 一种表面声波谐振腔滤波器,包括多个IDT,彼此紧挨地在36°Y截面X向传播式LiTaO3基片上设置;多个反射器,设置在所述多个IDT的两侧,IDT和反射器的各电极由或主要由铝构成的铝合金制成;SiO2薄膜形成得将IDT和反射器都覆盖住。电极厚度比T/λ和SiO2薄膜厚度比H/λ设定在2.6%≤T/λ≤4.8%,22%≤H/λ≤38%的范围内,其中T表示所述IDT各电极的厚度,H表示所述SiO2薄膜的厚度,λ表示表面声波的波长。
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