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公开(公告)号：CN111989426B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201980026475.9
申请日：2019-04-17
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
Abstract: 公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括用于嵌入结构的多孔阳极区域。多孔阳极区域由延性硬掩模限定。硬掩模的延性降低了在通过多孔阳极区域的阳极氧化的形成期间硬掩模破裂的可能性。延性硬掩模可以是金属。金属可以被选择成在暴露于阳极氧化电解质时形成稳定的氧化物，从而使得硬掩模能够在裂纹在阳极氧化过程期间出现时自修复。
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公开(公告)号：CN116601729A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180080814.9
申请日：2021-11-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33
Abstract: 公开了一种电容器结构。该电容器结构包括：基板(102)；在基板(102)上方的导电层(104)；以及在导电层(104)上方的多孔层，该多孔层具有从多孔层的顶部表面向导电层(104)垂直延伸的孔。多孔层包括第一区域(110)和第二区域(120)，第一区域(110)的孔中设置有导电线，并且第二区域(120)的孔中设置有金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构。第一区域(110)可以用作用于接触电容器结构的底部电极的通孔。
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公开(公告)号：CN116264220A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211589417.7
申请日：2022-12-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供了一种电气器件以及制造电气器件的方法。一种制造电气器件的方法，包括：对可阳极氧化金属层的部分进行阳极氧化，以获得阳极多孔氧化物区域(101)以及与阳极多孔氧化物区域相邻的可阳极氧化金属区域(100)，阳极多孔氧化物区域比可阳极氧化金属区域厚；在阳极多孔氧化物区域和可阳极氧化金属区域上沉积衬垫材料的层(105)；在衬垫材料的层上沉积填充材料的层(106)以获得具有顶表面的堆叠结构，填充材料与衬垫材料不同；对从堆叠结构的顶表面起直至到达衬垫材料的层的堆叠结构进行平坦化，以暴露位于阳极多孔氧化物区域的至少一部分(112)上方的衬垫材料的部分(111)；去除衬垫材料的暴露部分。
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公开(公告)号：CN110892497B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201880045989.4
申请日：2018-07-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 由基底(1)提供放大的表面面积，该基底(1)包括：基层(2)，该基层具有限定多个第一沟槽(3)和介于中间的第一平台(4)的第一主表面(2A)；以及覆盖层(12)，该覆盖层设置在基层(2)的第一主表面(2A)上并以基本保形的方式覆盖第一沟槽(3)和第一平台(4)，其中，覆盖层的远离基层的第一主表面(2A)的表面(12A)包括多个第二沟槽(13)和介于中间的第二平台(14)，第二沟槽和第二平台以比第一沟槽和第一平台的比例小的比例被限定。基底可以用于制造电容元件，在电容元件中设置有薄膜层并且薄膜层以保形的方式覆盖覆盖层的第二沟槽和第二平台，以创建具有高的电容密度的金属‑绝缘体‑金属结构。
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公开(公告)号：CN110892497A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880045989.4
申请日：2018-07-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 由基底(1)提供放大的表面面积，该基底(1)包括：基层(2)，该基层具有限定多个第一沟槽(3)和介于中间的第一平台(4)的第一主表面(2A)；以及覆盖层(12)，该覆盖层设置在基层(2)的第一主表面(2A)上并以基本保形的方式覆盖第一沟槽(3)和第一平台(4)，其中，覆盖层的远离基层的第一主表面(2A)的表面(12A)包括多个第二沟槽(13)和介于中间的第二平台(14)，第二沟槽和第二平台以比第一沟槽和第一平台的比例小的比例被限定。基底可以用于制造电容元件，在电容元件中设置有薄膜层并且薄膜层以保形的方式覆盖覆盖层的第二沟槽和第二平台，以创建具有高的电容密度的金属-绝缘体-金属结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111670495B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201980009874.4
申请日：2019-01-22
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
IPC: H01L23/48 , G02B6/12 , G02B6/13 , H01L23/522 , H01L29/786 , H01L23/66
Abstract: 在包括绝缘体上硅衬底的电子产品中，阳极氧化物或阳极氢氧化物的多孔层形成在绝缘体上硅衬底的硅层之上。形成在多孔层之上的金属层提供至少一条电传输线。电信号在至少一条电传输线中的速度可以通过多孔层的孔隙率的适当配置来控制。
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公开(公告)号：CN113165868B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201980076768.8
申请日：2019-11-21
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
Abstract: 提出了用于在其中沉积堆叠体例如电极‑绝缘体‑电极结构的增强的纳米线结构。所述结构包括：导电层(1308)；具有与导电层接触的第一端和从导电层突出的第二端的导电线(1316)；以及横向地连接一定数量的导电线以在导电线之间提供基本均匀的间距的横向桥层(1318)。此后，将绝缘体‑电极堆叠体(1802、1804)沉积到所述结构上(参见图18)。
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公开(公告)号：CN113661581A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202080027445.2
申请日：2020-04-06
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
Abstract: 三维电容性结构(150)可以通过在多孔阳极氧化物的区域(152a)中的孔(151)上方共形地形成电容性堆叠(153至155)来产生。多孔阳极氧化物区域设置在包括抗阳极氧化层和互连层(159)的导电层(158、159)的堆叠上。在孔中，非常接近于孔底部存在具有受限直径(D)的位置(P)。在阳极氧化物的区域(152a)中的第一百分比的孔中，形成电容性堆叠(153至155)的功能部分(F)，以便延伸到孔中，不超过直径受限的位置(P)。可能存在于抗阳极氧化层(159)中的裂纹对电容性结构的特性具有降低的影响。可以容忍抗阳极氧化层(159)的厚度增加，使得整个电容性结构的等效串联电阻能够降低。
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公开(公告)号：CN112119512A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201980031729.6
申请日：2019-05-09
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
Abstract: 公开了多孔区域结构及其制造方法。多孔区域结构的特征在于使具有不均匀的孔的硬掩模边界区域密封，由此从该结构排除功能。硬掩模边界区域的密封通过使用在用于限定结构的多孔区域的阳极氧化硬掩模的顶部上沉积的硬掩模来完成。通过排除硬掩模边界区域，可以以更高的精确度控制或量化多孔区域结构的孔隙比和等效比表面。通过密封硬掩模边界区域，还可以显著地减少由于结构的下面的金属层露出而引起的腐蚀。
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公开(公告)号：CN112119512B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201980031729.6
申请日：2019-05-09
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
Abstract: 公开了多孔区域结构及其制造方法。多孔区域结构的特征在于使具有不均匀的孔的硬掩模边界区域密封，由此从该结构排除功能。硬掩模边界区域的密封通过使用在用于限定结构的多孔区域的阳极氧化硬掩模的顶部上沉积的硬掩模来完成。通过排除硬掩模边界区域，可以以更高的精确度控制或量化多孔区域结构的孔隙比和等效比表面。通过密封硬掩模边界区域，还可以显著地减少由于结构的下面的金属层露出而引起的腐蚀。
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