公开(公告)号：CN113272952A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202080008200.5

申请日：2020-01-08

Applicant: 株式会社村田制作所 ,  原子能与替代能源委员会

Inventor： 弗雷德里克·瓦龙 ,  布里吉特·苏利耶 ,  久伊·帕拉特

IPC: H01L23/522 ,  C25D11/04 ,  H01G4/10 ,  H01L49/02 ,  C25D11/02

Abstract: 一种用于形成具有多孔区域和横向包封的产品结构的方法、一种用于制造结构的方法，该结构包括：绝缘层(201)；第一金属层(203)，该第一金属层在绝缘层的第一部分上方；阳极氧化物的第一多孔区域，该第一多孔区域在第一金属层上方并与第一金属层接触；以及阳极氧化物的第二多孔区域，其包围第一多孔区域，该第二多孔区域与同绝缘层的第一部分相邻的绝缘层的第二部分接触并且与第一金属层接触，第二多孔区域形成绝缘区域。

公开(公告)号：CN113272952B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202080008200.5

申请日：2020-01-08

Applicant: 株式会社村田制作所 ,  原子能与替代能源委员会

Inventor： 弗雷德里克·瓦龙 ,  布里吉特·苏利耶 ,  久伊·帕拉特

IPC: H01L23/522 ,  C25D11/04 ,  H01G4/10 ,  H10N97/00 ,  C25D11/02

Abstract: 一种用于形成具有多孔区域和横向包封的产品结构的方法、一种用于制造结构的方法，该结构包括：绝缘层(201)；第一金属层(203)，该第一金属层在绝缘层的第一部分上方；阳极氧化物的第一多孔区域，该第一多孔区域在第一金属层上方并与第一金属层接触；以及阳极氧化物的第二多孔区域，其包围第一多孔区域，该第二多孔区域与同绝缘层的第一部分相邻的绝缘层的第二部分接触并且与第一金属层接触，第二多孔区域形成绝缘区域。

公开(公告)号：CN116348978A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180072937.8

申请日：2021-10-29

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 拉里·比夫莱 ,  弗雷德里克·瓦龙 ,  朱利安·埃尔萨巴希 ,  布里吉特·苏利耶

IPC: H01G4/012

Abstract: 一种包括电容器的电气器件，包括：基板(100)；在基板上方的阳极多孔氧化物区域(105)；第一电容器电极区域(111A)，其布置在阳极多孔氧化物区域中，在阳极多孔氧化物区域中延伸，第一电容器电极区域具有垂直于顶表面的第一壁(108A)；第二电容器电极区域(111A)，其布置在阳极多孔氧化物区域中，在阳极多孔氧化物区域中延伸，第二电容器电极区域具有垂直于顶表面且面对第一电容器电极区域的第一壁的第二壁(108B,202B)，第一电容器电极区域的第一壁和第二电容器电极区域的第二壁由包括阳极多孔氧化物区域的一部分的电介质部分(112)分隔开。

公开(公告)号：CN114930558A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008344.5

申请日：2021-01-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 弗雷德里克·瓦龙 ,  布里吉特·苏利耶 ,  中川博

IPC: H01L49/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/784

Abstract: 公开了一种制造半导体结构的方法。该方法包括：在晶片上形成第一金属层；在第一金属层上形成第二金属层；在第二金属层的位于晶片的电路区域上方的第一区域中形成第一多孔结构，并且在第二金属层的位于晶片的切割区域上方的第二区域中形成第二多孔结构，其中，第一多孔结构包括第一组孔，并且其中，第二多孔结构包括第二组孔；在第一多孔结构的第一组孔中形成金属‑绝缘体‑金属叠层；以及蚀刻第二多孔结构的第二组孔蚀刻以暴露硅晶片的切割区域。

公开(公告)号：CN116601729A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180080814.9

申请日：2021-11-22

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 弗雷德里克·瓦龙 ,  布里吉特·苏利耶 ,  朱利安·埃尔萨巴希

IPC: H01G4/33

Abstract: 公开了一种电容器结构。该电容器结构包括：基板(102)；在基板(102)上方的导电层(104)；以及在导电层(104)上方的多孔层，该多孔层具有从多孔层的顶部表面向导电层(104)垂直延伸的孔。多孔层包括第一区域(110)和第二区域(120)，第一区域(110)的孔中设置有导电线，并且第二区域(120)的孔中设置有金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构。第一区域(110)可以用作用于接触电容器结构的底部电极的通孔。

公开(公告)号：CN115812112A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202180048955.2

申请日：2021-07-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 布里吉特·苏利耶 ,  弗雷德里克·瓦龙

IPC: C25D11/04

Abstract: 一种电气设备，包括：金属屏障层(102)；在金属屏障层上的阳极多孔氧化物区域(AAO)；围绕阳极多孔氧化物区域到达金属屏障层的沟槽(104)；至少在阳极多孔氧化物区域的侧面的沟槽的壁(106)上的衬垫(107)，衬垫(107)形成电隔离屏障并且具有在阳极多孔氧化物区域上的开口(109)；设置在沟槽和衬垫上方的硬掩模(108)，硬掩模(108)具有在阳极多孔氧化物区域上的开口(109)。本发明还涉及相应的制造方法。