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公开(公告)号：CN111989426B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201980026475.9
申请日：2019-04-17
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
Abstract: 公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括用于嵌入结构的多孔阳极区域。多孔阳极区域由延性硬掩模限定。硬掩模的延性降低了在通过多孔阳极区域的阳极氧化的形成期间硬掩模破裂的可能性。延性硬掩模可以是金属。金属可以被选择成在暴露于阳极氧化电解质时形成稳定的氧化物，从而使得硬掩模能够在裂纹在阳极氧化过程期间出现时自修复。
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公开(公告)号：CN116601729A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180080814.9
申请日：2021-11-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33
Abstract: 公开了一种电容器结构。该电容器结构包括：基板(102)；在基板(102)上方的导电层(104)；以及在导电层(104)上方的多孔层，该多孔层具有从多孔层的顶部表面向导电层(104)垂直延伸的孔。多孔层包括第一区域(110)和第二区域(120)，第一区域(110)的孔中设置有导电线，并且第二区域(120)的孔中设置有金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构。第一区域(110)可以用作用于接触电容器结构的底部电极的通孔。
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公开(公告)号：CN115812112A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202180048955.2
申请日：2021-07-12
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C25D11/04
Abstract: 一种电气设备，包括：金属屏障层(102)；在金属屏障层上的阳极多孔氧化物区域(AAO)；围绕阳极多孔氧化物区域到达金属屏障层的沟槽(104)；至少在阳极多孔氧化物区域的侧面的沟槽的壁(106)上的衬垫(107)，衬垫(107)形成电隔离屏障并且具有在阳极多孔氧化物区域上的开口(109)；设置在沟槽和衬垫上方的硬掩模(108)，硬掩模(108)具有在阳极多孔氧化物区域上的开口(109)。本发明还涉及相应的制造方法。
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公开(公告)号：CN112119512B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201980031729.6
申请日：2019-05-09
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
Abstract: 公开了多孔区域结构及其制造方法。多孔区域结构的特征在于使具有不均匀的孔的硬掩模边界区域密封，由此从该结构排除功能。硬掩模边界区域的密封通过使用在用于限定结构的多孔区域的阳极氧化硬掩模的顶部上沉积的硬掩模来完成。通过排除硬掩模边界区域，可以以更高的精确度控制或量化多孔区域结构的孔隙比和等效比表面。通过密封硬掩模边界区域，还可以显著地减少由于结构的下面的金属层露出而引起的腐蚀。
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公开(公告)号：CN114424309B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202080065621.1
申请日：2020-09-16
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
Abstract: 通过在基板(10‑20)上形成导电材料岛(30a，30b)以及在导电岛之间的空间(35)中形成导电性牺牲层(40)来制造纳米线结构(5)。导电岛(30a，30b)包括阳极蚀刻阻挡层(30)。可阳极氧化层(50)形成在导电岛和牺牲层上方，并被阳极氧化以形成多孔模板(60)。纳米线(70)形成在多孔模板的叠覆在导电岛(30a，30b)上的区域(A)中。多孔模板和牺牲层的去除留下纳米线结构(5)，该纳米线结构(5)包括连接至用作集流器的相应导电岛(30a，30b)的隔离的纳米线组。相应的导电层和绝缘体层的堆叠形成在不同的纳米线组上方，以形成彼此电隔离的相应电容器。因此，可以形成包括纳米线上方形成的隔离电容
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公开(公告)号：CN114424309A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080065621.1
申请日：2020-09-16
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
Abstract: 通过在基板(10‑20)上形成导电材料岛(30a，30b)以及在导电岛之间的空间(35)中形成导电性牺牲层(40)来制造纳米线结构(5)。导电岛(30a，30b)包括阳极蚀刻阻挡层(30)。可阳极氧化层(50)形成在导电岛和牺牲层上方，并被阳极氧化以形成多孔模板(60)。纳米线(70)形成在多孔模板的叠覆在导电岛(30a，30b)上的区域(A)中。多孔模板和牺牲层的去除留下纳米线结构(5)，该纳米线结构(5)包括连接至用作集流器的相应导电岛(30a，30b)的隔离的纳米线组。相应的导电层和绝缘体层的堆叠形成在不同的纳米线组上方，以形成彼此电隔离的相应电容器。因此，可以形成包括纳米线上方形成的隔离电容器阵列的单片组件。
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公开(公告)号：CN113272952B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202080008200.5
申请日：2020-01-08
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
IPC: H01L23/522 , C25D11/04 , H01G4/10 , H10N97/00 , C25D11/02
Abstract: 一种用于形成具有多孔区域和横向包封的产品结构的方法、一种用于制造结构的方法，该结构包括：绝缘层(201)；第一金属层(203)，该第一金属层在绝缘层的第一部分上方；阳极氧化物的第一多孔区域，该第一多孔区域在第一金属层上方并与第一金属层接触；以及阳极氧化物的第二多孔区域，其包围第一多孔区域，该第二多孔区域与同绝缘层的第一部分相邻的绝缘层的第二部分接触并且与第一金属层接触，第二多孔区域形成绝缘区域。
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公开(公告)号：CN116348978A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180072937.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/012
Abstract: 一种包括电容器的电气器件，包括：基板(100)；在基板上方的阳极多孔氧化物区域(105)；第一电容器电极区域(111A)，其布置在阳极多孔氧化物区域中，在阳极多孔氧化物区域中延伸，第一电容器电极区域具有垂直于顶表面的第一壁(108A)；第二电容器电极区域(111A)，其布置在阳极多孔氧化物区域中，在阳极多孔氧化物区域中延伸，第二电容器电极区域具有垂直于顶表面且面对第一电容器电极区域的第一壁的第二壁(108B,202B)，第一电容器电极区域的第一壁和第二电容器电极区域的第二壁由包括阳极多孔氧化物区域的一部分的电介质部分(112)分隔开。
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