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公开(公告)号：CN100388624C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200410047475.2
申请日：2001-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/6483 , H03H9/02669 , H03H9/14552 , H03H9/6436 , H03H9/6463 , Y10T29/42 , Y10T29/49004 , Y10T29/49005 , Y10T29/49011 , Y10T29/4908 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913
Abstract: 一种制造边沿反射型表面声波器件的方法，该方法包括步骤在压电基片上制成多个交指换能器；制成多个边沿反射型表面声波器件中至少一个的两个相对的边沿；在不与所述多个边沿反射型表面声波器件中至少一个的所述两个相对的边沿的制成位置相对应的位置处，制成所述多个边沿反射型表面声波器件中另一个的两个相对边沿；其中上述至少一个叉指换能器是具有15到80对电极的单电极型叉指换能器，且将在表面声波的传播方向的外侧与同所述叉指换能器的每个最外侧电极指相邻的电极指中心相隔开λ/2的位置设置为基准位置；并依据电极的对数来调整频率。
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公开(公告)号：CN1545205A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN200410047475.2
申请日：2001-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/6483 , H03H9/02669 , H03H9/14552 , H03H9/6436 , H03H9/6463 , Y10T29/42 , Y10T29/49004 , Y10T29/49005 , Y10T29/49011 , Y10T29/4908 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913
Abstract: 一种调节边沿反射型表面声波器件频率特性的方法，包括获得具有压电基片的边沿反射型表面声波器件的频率特性的步骤。边沿反射型表面声波器件的一对压电基片边沿限定了其间的预定距离。接着，在一对位置的至少一个位置上切割压电基片，当边沿反射型表面声波器件的最终频率特性要高于得到的频率特性时，该位置限定的距离便短于预定距离；而当边沿反射型表面声波器件的最终频率特性要低于得到的频率特性时，该位置限定的距离则长于预定距离。
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公开(公告)号：CN1166056C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN01132669.7
申请日：2001-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/6483 , H03H9/02669 , H03H9/14552 , H03H9/6436 , H03H9/6463 , Y10T29/42 , Y10T29/49004 , Y10T29/49005 , Y10T29/49011 , Y10T29/4908 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913
Abstract: 一种调节边沿反射型表面声波器件频率特性的方法，包括获得具有压电基片的边沿反射型表面声波器件的频率特性的步骤。边沿反射型表面声波器件的一对压电基片边沿限定了其间的预定距离。接着，在一对位置的至少一个位置上切割压电基片，当边沿反射型表面声波器件的最终频率特性要高于得到的频率特性时，该位置限定的距离便短于预定距离；而当边沿反射型表面声波器件的最终频率特性要低于得到的频率特性时，该位置限定的距离则长于预定距离。
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公开(公告)号：CN1343044A
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN01132669.7
申请日：2001-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/6483 , H03H9/02669 , H03H9/14552 , H03H9/6436 , H03H9/6463 , Y10T29/42 , Y10T29/49004 , Y10T29/49005 , Y10T29/49011 , Y10T29/4908 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913
Abstract: 一种调节边沿反射型表面声波器件频率特性的方法,包括获得具有压电基片的边沿反射型表面声波器件的频率特性的步骤。边沿反射型表面声波器件的一对压电基片边沿限定了其间的预定距离。接着,在一对位置的至少一个位置上切割压电基片,当边沿反射型表面声波器件的最终频率特性要高于得到的频率特性时,该位置限定的距离便短于预定距离;而当边沿反射型表面声波器件的最终频率特性要低于得到的频率特性时,该位置限定的距离则长于预定距离。
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