公开(公告)号：CN105493260A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480047456.1

申请日：2014-08-29

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 小林文弥 ,  熊谷祥 ,  牛田和宏 ,  大西正 ,  石垣知徳

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

Abstract: 提供能够在抑制承载器的升温速度和热利用效率降低的同时改善热均匀性的承载器。该承载器(100)包括：板状的第一构件(10)，其具有用于载置晶圆的晶圆载置面；以及第二构件(20)，其用于支撑第一构件(10)并在垂直于晶圆载置面的方向上与第一构件(10)层叠。第一构件(10)的热传导率高于第二构件(20)的热传导率。

公开(公告)号：CN105493260B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201480047456.1

申请日：2014-08-29

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 小林文弥 ,  熊谷祥 ,  牛田和宏 ,  大西正 ,  石垣知徳

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

Abstract: 提供能够在抑制承载器的升温速度和热利用效率降低的同时改善热均匀性的承载器。该承载器(100)包括：板状的第一构件(10)，其具有用于载置晶圆的晶圆载置面；以及第二构件(20)，其用于支撑第一构件(10)并在垂直于晶圆载置面的方向上与第一构件(10)层叠。第一构件(10)的热传导率高于第二构件(20)的热传导率。

公开(公告)号：CN102378832A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080014976.4

申请日：2010-03-19

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 牛田和宏

IPC: C30B29/06 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B33/06

Abstract: 本发明提供支承基板、贴合基板、支承基板的制造方法及贴合基板的制造方法，作为贴合到由单晶体构成的单晶晶圆上的支承基板(30)包括由碳化硅的多晶体构成的碳化硅多晶基板(10)和蒸镀在碳化硅多晶基板(10)上的覆层(20)，覆层(20)由碳化硅或者硅构成且与单晶晶圆相接触，与单晶晶圆相接触的覆层(20)的接触面(22)的算术平均粗糙度为1nm以下。