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公开(公告)号：CN103097292B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201180043160.9
申请日：2011-09-09
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: C01B33/025
CPC classification number: B44C1/227 , C01B33/025 , C01B33/037
Abstract: 本发明的目的和课题在于，提供一种能够有效地制造粒径均一的硅微粒的硅微粒的制造方法以及硅微粒的粒径控制方法。并且，本发明的特征在于，通过在蚀刻溶液中浸渍硅颗粒、用具有比所述硅颗粒的带隙能量更大的能量的光照射浸渍在所述蚀刻溶液中的所述硅颗粒，从而控制粒径、并且制造比所述硅颗粒的粒径更小的硅微粒。
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公开(公告)号：CN102460822B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201080029668.9
申请日：2010-04-23
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2031 , H01G9/2036 , H01G9/2045 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 半导体电极(10)具备配设于具有透光性的基板(11)的表面的透明电极(12)，在透明电极(12)中，在配设于基板(11)的表面的相反面配设金属氧化物层(13)，金属氧化物层(13)具有吸收透过基板(11)的光的波长中特定波长的硅微粒(15)和金属氧化物微粒(14)，硅微粒(15)配设在金属氧化物微粒(14)之间。
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公开(公告)号：CN103097292A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043160.9
申请日：2011-09-09
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: C01B33/025
CPC classification number: B44C1/227 , C01B33/025 , C01B33/037
Abstract: 本发明的目的和课题在于，提供一种能够有效地制造粒径均一的硅微粒的硅微粒的制造方法以及硅微粒的粒径控制方法。并且，本发明的特征在于，通过在蚀刻溶液中浸渍硅颗粒、用具有比所述硅颗粒的带隙能量更大的能量的光照射浸渍在所述蚀刻溶液中的所述硅颗粒，从而控制粒径、并且制造比所述硅颗粒的粒径更小的硅微粒。
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公开(公告)号：CN102460822A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080029668.9
申请日：2010-04-23
Applicant: 株式会社普利司通
CPC classification number: H01G9/2031 , H01G9/2036 , H01G9/2045 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 半导体电极(10)具备配设于具有透光性的基板(11)的表面的透明电极(12)，在透明电极(12)中，在配设于基板(11)的表面的相反面配设金属氧化物层(13)，金属氧化物层(13)具有吸收透过基板(11)的光的波长中特定波长的硅微粒(15)和金属氧化物微粒(14)，硅微粒(15)配设在金属氧化物微粒(14)之间。
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公开(公告)号：CN100447214C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN02801736.6
申请日：2002-05-22
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: C09J109/00 , B32B25/04 , C08J5/12 , B60C9/00
CPC classification number: C09J109/00 , B60C1/00 , B60C9/00 , B60C9/0042 , C08J5/124 , C08J2321/00 , C08K5/17 , C08K5/18 , C08K5/29 , C08K5/34 , C08K5/405 , C09J115/00 , Y10T428/2852 , Y10T428/2883 , Y10T428/31826 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明的接着剂组成物，其特征为包含(A)重量平均分子量500～100000的共轭二烯系聚合物以及(B)电子对给予性的碱性化合物；或是包含(A)重量平均分子量500～100000的共轭二烯系聚合物、(C)分子中具有3个以上的丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基或是下述一般式(I)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103201217B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201180048892.7
申请日：2011-08-12
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: C01B33/027
CPC classification number: C01B33/021 , C01B33/025 , C01P2004/61
Abstract: 一种硅微粒的生产方法，其包括：在惰性气氛下焙烧包括硅源和碳源的混合物的焙烧步骤；将通过焙烧混合物而生成的气体急冷并用于获得包括硅微粒和硅氧化物的复合粉末的急冷步骤；在氧化气氛下加热复合粉末的加热步骤；和从加热的复合粉末中除去一氧化硅和二氧化硅的除去步骤。
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公开(公告)号：CN103201217A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180048892.7
申请日：2011-08-12
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: C01B33/027
CPC classification number: C01B33/021 , C01B33/025 , C01P2004/61
Abstract: 一种硅微粒的生产方法，其包括：在惰性气氛下焙烧包括硅源和碳源的混合物的焙烧步骤；将通过焙烧混合物而生成的气体急冷并用于获得包括硅微粒和硅氧化物的复合粉末的急冷步骤；在氧化气氛下加热复合粉末的加热步骤；和从加热的复合粉末中除去一氧化硅和二氧化硅的除去步骤。
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公开(公告)号：CN1894601A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200480037553.9
申请日：2004-12-14
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: G02B1/10 , B32B7/02 , B32B27/30 , G02F1/1335
Abstract: 在透明基材薄膜1上依次层叠硬涂层2、高折射率层3和低折射率层4，形成防反射膜。或者，在透明基材薄膜上依次层叠导电性高折射率硬涂层和低折射率层，形成防反射膜。该低折射率层4是在氧气浓度为0～10000ppm的氛围气下通过对涂膜照射紫外线使其固化而形成的，其中该涂膜包含中空二氧化硅微粒、多官能团(甲基)丙烯酸类化合物、光聚合引发剂。
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公开(公告)号：CN103975444A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280059996.2
申请日：2012-12-05
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/07 , H01L31/022425 , H01L31/0324 , H01L31/042 , H01L31/1828 , H01L31/186 , H01L51/0037 , H01L51/4233 , H01L51/426 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 该太阳能电池(1)由第一电极层(1C)、半导体层(1A)和第二电极层(1D)层叠而构成。第一电极层(1C)设置在半导体层(1A)的光入射面侧。第一电极层(1C)和半导体层(1A)经肖特基接合界面接合。第二电极层(1D)设置在半导体层(1A)的光入射面的对侧上。第二电极层(1D)和半导体层(1A)经欧姆接触接合。第一电极层(1C)包含可见光吸收材料。
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公开(公告)号：CN100417954C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200480037553.9
申请日：2004-12-14
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: G02B1/10 , B32B7/02 , B32B27/30 , G02F1/1335
Abstract: 在透明基材薄膜1上依次层叠硬涂层2、高折射率层3和低折射率层4，形成防反射膜。或者，在透明基材薄膜上依次层叠导电性高折射率硬涂层和低折射率层，形成防反射膜。该低折射率层4是在氧气浓度为0～10000ppm的氛围气下通过对涂膜照射紫外线使其固化而形成的，其中该涂膜包含中空二氧化硅微粒、多官能团(甲基)丙烯酸类化合物、光聚合引发剂。
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