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公开(公告)号：CN1032090A
公开(公告)日：1989-03-29
申请号：CN88104829
申请日：1988-07-30
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日本装置工程株式会社
CPC classification number: H01J9/2274
Abstract: 用于在彩色阴极射线管的面板内表面上生成荧光屏的本发明的曝光装置具有一种驱动装置，该装置能使短电弧汞汽灯自动地对中，以保持其中心轴线位置在所要求的曝光准确度之内，利用所述驱动装置，使短电弧汞汽灯的电弧中心的位置朝着面板的中心轴线移动，以校正取决于短电弧汞汽灯点燃时间的电弧变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1010904B
公开(公告)日：1990-12-19
申请号：CN88104829
申请日：1988-07-30
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日本装置工程株式会社
CPC classification number: H01J9/2274
Abstract: 用于在彩色阴极射线管的面板内表面上生成荧光屏的本发明的曝光装置具有一种驱动装置，该装置能使短电弧汞汽灯自动地对中，以保持其中心轴线位置在所要求的曝光准确度之内，利用所述驱动装置，使短电弧汞汽灯的电弧中心的位置朝着面板的中心轴线移动，以校正取决于短电弧汞汽灯点燃时间的电弧变化。
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公开(公告)号：CN101651288B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910163685.0
申请日：2009-08-10
IPC: H01S5/327 , H01S5/347 , H01S5/028 , H01L33/00 , H01L31/101
CPC classification number: H01S5/327 , H01S5/305 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/3216
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体层，该半导体层在InP基板上依次包括n型第一熔覆层、n型第二熔覆层、活性层、p型第一熔覆层和p型第二熔覆层。所述n型第一熔覆层和所述n型第二熔覆层满足下面的公式(1)～公式(4)，或者所述p型第一熔覆层和所述p型第二熔覆层满足下面的公式(5)～公式(8)：1×1017cm-3≤N1≤1×1020cm-3...(1)N1＞N2 ...(2)D1＞D2 ...(3)Ec1＜Ec3＜Ec2 ...(4)1×1017cm-3≤N4≤1020cm-3...(5)N3＜N4 ...(6)D3＜D4 ...(7)Ev1＜Ev3＜Ev2 ...(8)在本发明的半导体器件中，通过将n型熔覆层或者p型熔覆层分成两层，因而能够将载流子传导、载流子限制、对Type II发光的抑制和光限制的全部特性设为适于所述n型熔覆层和所述p型熔覆层的值。
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公开(公告)号：CN101651288A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910163685.0
申请日：2009-08-10
IPC: H01S5/327 , H01S5/347 , H01S5/028 , H01L33/00 , H01L31/101
CPC classification number: H01S5/327 , H01S5/305 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/3216
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体层，该半导体层在InP基板上依次包括n型第一熔覆层、n型第二熔覆层、活性层、p型第一熔覆层和p型第二熔覆层。所述n型第一熔覆层和所述n型第二熔覆层满足下面的公式(1)～公式(4)，或者所述p型第一熔覆层和所述p型第二熔覆层满足下面的公式(5)～公式(8)：1×10 17 cm -3 ≤N1≤1×10 20 cm -3 …(1)N1＞N2 …(2)D1＞D2 …(3)Ec1＜Ec3＜Ec2 …(4)1×10 17 cm -3 ≤N4≤10 20 cm -3 …(5)N3＜N4 …(6)D3＜D4 …(7)Ev1＜Ev3＜Ev2 …(8)在本发明的半导体器件中，通过将n型熔覆层或者p型熔覆层分成两层，因而能够将载流子传导、载流子限制、对Type II发光的抑制和光限制的全部特性设为适于所述n型熔覆层和所述p型熔覆层的值。
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公开(公告)号：CN100514774C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610108927.2
申请日：2006-07-28
IPC: H01S5/00 , H01S5/347 , H01L33/00 , H01L31/0264 , H01L31/08
CPC classification number: H01S5/347 , B82Y20/00 , H01L31/0296 , H01L31/035236 , H01L33/06 , H01L33/28 , H01S5/0218 , H01S2304/02
Abstract: 本发明针对通常情况下成为p型传导但载流子浓度仅得到小于1×1017cm-3的值这样的材料，提供得到大于等于1×1017cm-3的高p型载流子浓度的结构，进而，提供发光特性等特性良好、可靠性也高、长寿命的半导体光学元件和装置。作为解决方法，在InP衬底上作为在与InP衬底晶格匹配的主层Mg0.5Zn0.29Cd0.21Se层(10ML(原子层)厚度)之间插入ZnSe0.53Te0.47层(2ML)作为插入的特定层，通过以适度间隔插入单层的、大于等于1018cm-3的充分的载流子浓度这样的特定层，在以往仅得到小于1×1017cm-3这样的材料中全体结晶得到大于等于1×1017cm-3的充分的空穴浓度。
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公开(公告)号：CN1929219A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610108927.2
申请日：2006-07-28
IPC: H01S5/00 , H01S5/347 , H01L33/00 , H01L31/0264 , H01L31/08
CPC classification number: H01S5/347 , B82Y20/00 , H01L31/0296 , H01L31/035236 , H01L33/06 , H01L33/28 , H01S5/0218 , H01S2304/02
Abstract: 本发明针对通常情况下成为p型传导但载流子浓度仅得到小于1×1017cm－3的值这样的材料，提供得到大于等于1×1017cm－3的高p型载流子浓度的结构，进而，提供发光特性等特性良好、可靠性也高、长寿命的半导体光学元件和装置。作为解决方法，在InP衬底上作为在与InP衬底晶格匹配的主层Mg0.5Zn0.29Cd0.21Se层(10ML(原子层)厚度)之间插入ZnSe0.53Te0.47层(2ML)作为插入的特定层，通过以适度间隔插入单层的、大于等于1018cm－3的充分的载流子浓度这样的特定层，在以往仅得到小于1×1017cm－3这样的材料中全体结晶得到大于等于1×1017cm－3的充分的空穴浓度。
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