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公开(公告)号：CN100514774C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610108927.2
申请日：2006-07-28
IPC: H01S5/00 , H01S5/347 , H01L33/00 , H01L31/0264 , H01L31/08
CPC classification number: H01S5/347 , B82Y20/00 , H01L31/0296 , H01L31/035236 , H01L33/06 , H01L33/28 , H01S5/0218 , H01S2304/02
Abstract: 本发明针对通常情况下成为p型传导但载流子浓度仅得到小于1×1017cm-3的值这样的材料，提供得到大于等于1×1017cm-3的高p型载流子浓度的结构，进而，提供发光特性等特性良好、可靠性也高、长寿命的半导体光学元件和装置。作为解决方法，在InP衬底上作为在与InP衬底晶格匹配的主层Mg0.5Zn0.29Cd0.21Se层(10ML(原子层)厚度)之间插入ZnSe0.53Te0.47层(2ML)作为插入的特定层，通过以适度间隔插入单层的、大于等于1018cm-3的充分的载流子浓度这样的特定层，在以往仅得到小于1×1017cm-3这样的材料中全体结晶得到大于等于1×1017cm-3的充分的空穴浓度。
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公开(公告)号：CN1929219A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610108927.2
申请日：2006-07-28
IPC: H01S5/00 , H01S5/347 , H01L33/00 , H01L31/0264 , H01L31/08
CPC classification number: H01S5/347 , B82Y20/00 , H01L31/0296 , H01L31/035236 , H01L33/06 , H01L33/28 , H01S5/0218 , H01S2304/02
Abstract: 本发明针对通常情况下成为p型传导但载流子浓度仅得到小于1×1017cm－3的值这样的材料，提供得到大于等于1×1017cm－3的高p型载流子浓度的结构，进而，提供发光特性等特性良好、可靠性也高、长寿命的半导体光学元件和装置。作为解决方法，在InP衬底上作为在与InP衬底晶格匹配的主层Mg0.5Zn0.29Cd0.21Se层(10ML(原子层)厚度)之间插入ZnSe0.53Te0.47层(2ML)作为插入的特定层，通过以适度间隔插入单层的、大于等于1018cm－3的充分的载流子浓度这样的特定层，在以往仅得到小于1×1017cm－3这样的材料中全体结晶得到大于等于1×1017cm－3的充分的空穴浓度。
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公开(公告)号：CN101651288B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910163685.0
申请日：2009-08-10
IPC: H01S5/327 , H01S5/347 , H01S5/028 , H01L33/00 , H01L31/101
CPC classification number: H01S5/327 , H01S5/305 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/3216
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体层，该半导体层在InP基板上依次包括n型第一熔覆层、n型第二熔覆层、活性层、p型第一熔覆层和p型第二熔覆层。所述n型第一熔覆层和所述n型第二熔覆层满足下面的公式(1)～公式(4)，或者所述p型第一熔覆层和所述p型第二熔覆层满足下面的公式(5)～公式(8)：1×1017cm-3≤N1≤1×1020cm-3...(1)N1＞N2 ...(2)D1＞D2 ...(3)Ec1＜Ec3＜Ec2 ...(4)1×1017cm-3≤N4≤1020cm-3...(5)N3＜N4 ...(6)D3＜D4 ...(7)Ev1＜Ev3＜Ev2 ...(8)在本发明的半导体器件中，通过将n型熔覆层或者p型熔覆层分成两层，因而能够将载流子传导、载流子限制、对Type II发光的抑制和光限制的全部特性设为适于所述n型熔覆层和所述p型熔覆层的值。
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公开(公告)号：CN101651288A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910163685.0
申请日：2009-08-10
IPC: H01S5/327 , H01S5/347 , H01S5/028 , H01L33/00 , H01L31/101
CPC classification number: H01S5/327 , H01S5/305 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/3216
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体层，该半导体层在InP基板上依次包括n型第一熔覆层、n型第二熔覆层、活性层、p型第一熔覆层和p型第二熔覆层。所述n型第一熔覆层和所述n型第二熔覆层满足下面的公式(1)～公式(4)，或者所述p型第一熔覆层和所述p型第二熔覆层满足下面的公式(5)～公式(8)：1×10 17 cm -3 ≤N1≤1×10 20 cm -3 …(1)N1＞N2 …(2)D1＞D2 …(3)Ec1＜Ec3＜Ec2 …(4)1×10 17 cm -3 ≤N4≤10 20 cm -3 …(5)N3＜N4 …(6)D3＜D4 …(7)Ev1＜Ev3＜Ev2 …(8)在本发明的半导体器件中，通过将n型熔覆层或者p型熔覆层分成两层，因而能够将载流子传导、载流子限制、对Type II发光的抑制和光限制的全部特性设为适于所述n型熔覆层和所述p型熔覆层的值。
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公开(公告)号：CN114976874B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202210166424.X
申请日：2022-02-23
Abstract: 本发明提供一种可增大所射出的光的强度的发光装置。一种发光装置，包括：基板；以及层叠体，设置于所述基板的基板面，且具有多个柱状部，所述柱状部具有发光层，所述发光层具有所述基板侧的第一端、以及与所述基板为相反侧的第二端，所述柱状部的与所述层叠体的层叠方向正交的方向上的第一剖面包括所述第一端，所述柱状部的与所述层叠方向正交的方向上的第二剖面是在所述层叠方向上比所述第一剖面更靠与所述基板为相反侧的位置处的、包括所述发光层的剖面，在从所述层叠方向观察时的俯视下，所述第一剖面的中心与所述第二剖面的中心的位置不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114361946B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111187770.8
申请日：2021-10-12
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种发光装置及投影仪，其可减小由第一阱层与第一GaN层的晶格常数差引起的结晶缺陷的产生的可能性。一种发光装置，具有：基板；以及层叠体，设置于基板且具有柱状部，所述柱状部具有：第一导电型的第一GaN层；第二导电型的第二GaN层，与所述第一导电型不同；以及发光层，设置于所述第一GaN层与所述第二GaN层之间，所述第一GaN层设置于所述基板与所述发光层之间，所述发光层具有作为InGaN层的第一阱层，所述第一GaN层具有立方晶的结晶结构的第一层，在所述第一层与所述第一阱层之间设置有作为具有六方晶的结晶结构的GaN层的第二层。
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公开(公告)号：CN110970798B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201910891379.2
申请日：2019-09-20
IPC: H01S5/32 , H01S5/323 , H01S5/34 , H01S5/343 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/28 , G03B21/20
Abstract: 本发明提供发光装置以及投影仪。提供能够具有较高的发光效率的发光装置。发光装置具有：基体；以及层叠体，其设于所述基体，具有多个柱状部，所述柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述第1半导体层具有小平面、c面和m面，所述发光层具有：小平面区域，其设于所述小平面；以及c面区域，其设于所述c面，所述发光层不具有设于所述m面的区域，在从所述层叠体的层叠方向观察的俯视观察下，所述c面区域大于所述小平面区域。
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公开(公告)号：CN114765342A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210030162.4
申请日：2022-01-12
Abstract: 本发明提供一种可减少在柱状部的侧面流动的电流的发光装置及投影仪。发光装置包括具有多个柱状部的层叠体，多个所述柱状部分别具有：第一半导体层；第二半导体层，其导电型与所述第一半导体层不同；以及发光层，设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，所述第二半导体层具有：第一部分；以及第二部分，从所述第一半导体层及所述发光层的层叠方向俯视时，包围所述第一部分，且带隙比所述第一部分大，所述第二部分构成所述柱状部的侧面。
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公开(公告)号：CN110808532A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910687341.3
申请日：2019-07-29
Abstract: 发光装置和投影仪。能够减少从柱状部的上部侧泄漏的光的量。柱状部具有发光层，在设层叠体的层叠方向上的柱状部的最靠基体侧的第1位置处的从层叠方向观察时的柱状部的最大宽度为a、设层叠方向上的发光层的最靠基体侧的第2位置处的从层叠方向观察时的柱状部的最大宽度为b、设层叠方向上的发光层的离基体最远侧的第3位置处的从层叠方向观察时的柱状部的最大宽度为c、设层叠方向上的柱状部的离基体最远侧的第4位置处的从层叠方向观察时的柱状部的最大宽度为d、在层叠方向上、第1位置与第2位置之间的距离为L1、第3位置与第4位置之间的距离为L2时，满足(b-a)/L1＞(d-c)/L2，a＜b，c＜d且a＜d的关系。
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公开(公告)号：CN114976874A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210166424.X
申请日：2022-02-23
Abstract: 本发明提供一种可增大所射出的光的强度的发光装置。一种发光装置，包括：基板；以及层叠体，设置于所述基板的基板面，且具有多个柱状部，所述柱状部具有发光层，所述发光层具有所述基板侧的第一端、以及与所述基板为相反侧的第二端，所述柱状部的与所述层叠体的层叠方向正交的方向上的第一剖面包括所述第一端，所述柱状部的与所述层叠方向正交的方向上的第二剖面是在所述层叠方向上比所述第一剖面更靠与所述基板为相反侧的位置处的、包括所述发光层的剖面，在从所述层叠方向观察时的俯视下，所述第一剖面的中心与所述第二剖面的中心的位置不同。
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