半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101465355A

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200810184907.2

    申请日:2008-12-19

    CPC classification number: H01L51/055 H01L51/0023 H01L51/0545 H01L51/102

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,在衬底SUB1上形成包含用狭窄的间隙(GP1)隔离开来的栅电极(GE2)和辅助图案(AP2)的导体图案(CP3),然后以将其覆盖的方式而形成栅极绝缘膜用的绝缘膜(GIF2),并在其之上形成抗蚀膜(RP4),从衬底SUB1的背面侧对抗蚀膜(RP4)进行曝光。在曝光时,使导体图案(CP3)作为掩模发挥功能,但使抗蚀膜(RP4)成为无法分辨间隙(GP1)的尺寸那样的低分辨率,并使显影后的抗蚀图案(RP4a)不产生与间隙(GP1)相当的部分。通过使用了此抗蚀图案RP4a的提离法而形成与栅电极(GE2)匹配的源·漏电极。通过对辅助图案(AP2)的形状进行调整就能够将源·漏电极的形状调整成任意形状。利用本发明,能够使薄膜晶体管的性能得到改善。

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