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公开(公告)号:CN101510427B
公开(公告)日:2011-01-19
申请号:CN200910005841.0
申请日:2009-02-05
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3912 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供一种磁记录再现头以及磁记录再现装置,即使线记录密度提高,也得到高的再现输出、分辨率以及SNR,得到充分的位误码率。磁记录再现头(10)具有差动型再现头(20)和记录头(25)。差动型再现头(20)具有层叠了具有第一自由层(210)的第一磁阻效应元件(200)、差动间隙层(100)、具有第二自由层(310)的第二磁阻效应元件(300)的层叠结构(400),在层叠结构(400)的外侧具有一对电极(50、51)和一对磁屏蔽(30、31)。此处,将第一自由层(210)与第二自由层(310)的内侧的距离(G1)与位长度(b1)之比(G1/B1)设定成0.6以上1.6以下。
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公开(公告)号:CN101510427A
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200910005841.0
申请日:2009-02-05
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3912 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供一种磁记录再现头以及磁记录再现装置,即使线记录密度提高,也得到高的再现输出、分辨率以及SNR,得到充分的位误码率。磁记录再现头(10)具有差动型再现头(20)和记录头(25)。差动型再现头(20)具有层叠了具有第一自由层(210)的第一磁阻效应元件(200)、差动间隙层(100)、具有第二自由层(310)的第二磁阻效应元件(300)的层叠结构(400),在层叠结构(400)的外侧具有一对电极(50、51)和一对磁屏蔽(30、31)。此处,将第一自由层(210)与第二自由层(310)的内侧的距离(G1)与位长度(b1)之比(G1/B1)设定成0.6以上1.6以下。
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公开(公告)号:CN1409297A
公开(公告)日:2003-04-09
申请号:CN02152912.4
申请日:2002-07-17
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/1936 , H01F10/324 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295
Abstract: 现有技术中用金属磁性膜制成的磁阻多层膜不能提供足够的再现输出能力。厚度为10nm或更薄的高极化率层做为与非磁性中间层界面相接触的富Fe的Fe-O层形成,再把所得到的层进行热处理形成铁磁Fe-O层的多层膜,从而获得有高磁阻的磁阻元件。
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