公开(公告)号：CN1503228A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN03178645.6

申请日：2003-07-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中本一广 ,  星屋裕之 ,  石川千明

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3912

Abstract: 对于100nm级以下的窄轨道宽度，通过减小侧面读取，可提供制作容易且灵敏度高的磁记录头，从而可提供高记录密度的磁记录再现装置。所述磁头具有上部屏蔽层31、下部屏蔽层32、配置在其间的磁电阻效应膜10、电耦合在磁电阻效应膜10上的一对电极31、32。在磁电阻效应膜10的两侧面，形成由上部屏蔽层31的一部分构成的一对侧面屏蔽层，并使侧面屏蔽层与磁电阻效应膜10之间的间隔形成为比上部屏蔽层31与下部屏蔽层32之间的间隔的2倍窄。由此，可使侧面读取量小于由上下屏蔽间隔和磁头－媒体间的磁隙决定的现有值。

公开(公告)号：CN1480923A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03122694.9

申请日：2003-02-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 星屋裕之 ,  星野胜美 ,  土屋裕子

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996

Abstract: 一种磁头，在垂直于大磁阻多层薄膜的薄膜平面方向上施加电流，并且包括被置于非常靠近自由层的电流屏蔽层，其中电流屏蔽层屏蔽或者减小其中电流流过的面积到一半至百分之一。当磁头进一步包括在大磁阻多层薄膜上面或者附近的磁畴控制薄膜时，合成磁头具有高输出和高稳定性，从而产生具有高记录密度的磁性记录和读取装置。

公开(公告)号：CN1409297A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02152912.4

申请日：2002-07-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 星屋裕之 ,  添谷进 ,  目黑贤一

IPC: G11B5/39 ,  H01L43/08 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295

Abstract: 现有技术中用金属磁性膜制成的磁阻多层膜不能提供足够的再现输出能力。厚度为10nm或更薄的高极化率层做为与非磁性中间层界面相接触的富Fe的Fe－O层形成，再把所得到的层进行热处理形成铁磁Fe－O层的多层膜，从而获得有高磁阻的磁阻元件。