公开(公告)号：CN1110073C

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN95109607.9

申请日：1995-07-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 川越纮人 ,  白须辰美 ,  清田省吾 ,  铃木范夫 ,  山田荣一 ,  杉野雄史 ,  北野学 ,  桜井义彦 ,  长沼孝 ,  荒川久

IPC: H01L21/3215 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L27/0925 ,  H01L21/823807

Abstract: 在含有预定导电类型杂质的半导体衬底本体的主表面上形成一个外延层，它含有导电类型与前述杂质相同的杂质而杂质浓度和指定的一种前述杂质的浓度相同。其后，形成一个阱区，其导电类型与上述杂质相同而其杂质浓度沿上述外延层的深度逐渐降低。阱区形成有MISFET的栅隔离膜。

公开(公告)号：CN1121643A

公开(公告)日：1996-05-01

申请号：CN95109607.9

申请日：1995-07-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 川越纮人 ,  白须辰美 ,  清田省吾 ,  铃木范夫 ,  山田荣一 ,  杉野雄史 ,  北野学 ,  桜井义彦 ,  长沼孝 ,  荒川久

IPC: H01L21/3215 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L27/0925 ,  H01L21/823807

Abstract: 在含有预定导电类型杂质的半导体衬底本体的主表面上形成一个外延层，它含有导电类型与前述杂质相同的杂质而杂质浓度和指定的一种前述杂质的浓度相同。其后，形成一个阱区，其导电类型与上述杂质相同而其杂质浓度沿上述外延层的深度逐渐降低。阱区形成有MISFET的栅隔离膜。