公开(公告)号：CN1215912A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98108077.4

申请日：1998-03-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 增田俊夫 ,  三谷克彦 ,  加治哲德 ,  田中润一 ,  渡边克哉 ,  白米茂 ,  大坪徹 ,  佐佐木一郎 ,  福本英士 ,  小泉真

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32678

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法,具有磁场形成装置,通过磁场来控制电子共振,以控制等离子体状态和腐蚀气体的离解状态,由此,即使对于大口径的晶片,也能够同时兼顾处理速度和细微加工性、选择比和均匀性。在真空处理室内的一对电极间施加20MHz至300MHz的高频功率,通过磁场形成装置而在电极间形成与电极表面平行的磁场。而且,通过在100高斯以下的范围中控制磁场强度,通过电极包层部中的电场和磁场的相互作用来控制电子回旋加速器共振、电子包层共振的生成。