公开(公告)号：CN102024799A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010235951.9

申请日：2010-07-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河喜多心哉 ,  山下志郎 ,  池田宇亨 ,  山口拓人

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/495 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L23/49537 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有小型、薄型、高散热的多层框架实装结构。为了达到上述目的，半导体的结构为，在将实装有电子部件的引线框多层重叠配置进而进行树脂密封的多层框架半导体装置中，使实装有电子部件的引线框与在其上方层叠配置的实装有电子部件的引线框之间的层间距离，小于从引线框面至电子部件上表面的距离。