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公开(公告)号：CN101964195A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010234468.9
申请日：2010-07-20
Applicant: 株式会社日立制作所 , 富士电机电子技术株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G11B5/65
CPC classification number: G11B5/656 , G11B5/65 , G11B5/7315 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，所记录的磁信号的稳定性优异并且可进行基于热辅助磁记录方式的磁信号记录。将磁记录层(50)应用于磁记录介质(1)，所述磁记录层(50)包含Pt含量为44at％以上55at％以下并且Ni/(Co+Ni)的原子含量比为0.64以上0.8以下的Co-Ni-Pt合金的强磁性晶粒。就该磁记录介质(1)而言，构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于在常温下具有非常高的各向异性磁场，因此所记录的磁信号的稳定性极其优异。另外，就该磁记录介质(1)而言，构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于具有适当的温度范围的居里点，因此可通过热辅助磁记录方式来进行信号记录。
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公开(公告)号：CN101752053A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910252056.5
申请日：2009-12-04
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: G11B5/656 , G11B5/851 , H01F10/16 , H01F41/18 , H01L43/10 , Y10T428/1114 , Y10T428/115 , Y10T428/32
Abstract: 本发明涉及磁性薄膜及其制造方法和使用其的各种应用装置。本发明涉及含有其中原子有序排列的L11型Co-Pt-C合金的磁性薄膜，能够实现关于L11型Co-Pt-C合金的优良有序度，以获得磁性薄膜的优良磁各向异性。因此，在使用该磁性薄膜的各种应用装置中，可以高水平地获得其大容量化和/或高密度化。
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公开(公告)号：CN101640098A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910152089.2
申请日：2009-07-28
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: G11B5/656 , B82Y25/00 , G11B5/65 , G11B5/82 , H01F10/16 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/18 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , Y10T428/115 , Y10T428/32
Abstract: 本发明提供一种可以较低地抑制饱和磁化Ms、又可以提供高Ku的磁性薄膜及其成膜方法、以及应用该磁性薄膜的各种装置。本发明的磁性薄膜含有具有L1 1 型的原子的有序结构的Co-M-Pt合金(所述M表示单一或者多个除Co和Pt以外的金属元素)，例如，所述Co-M-Pt合金为Co-Ni-Pt合金，组成如下，Co为10～35(at％)，Ni为20～55(at％)、剩余部分为Pt。另外，所述磁性薄膜应用于在垂直磁记录介质、隧道磁电阻元件(TMR)、磁阻式随机存储器(MRAM)、微机电系统装置等中使用的磁性膜中。
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公开(公告)号：CN101964195B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010234468.9
申请日：2010-07-20
Applicant: 株式会社日立制作所 , 富士电机株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G11B5/65
CPC classification number: G11B5/656 , G11B5/65 , G11B5/7315 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，所记录的磁信号的稳定性优异并且可进行基于热辅助磁记录方式的磁信号记录。将磁记录层(50)应用于磁记录介质(1)，所述磁记录层(50)包含Pt含量为44at％以上55at％以下并且Ni/(Co+Ni)的原子含量比为0.64以上0.8以下的Co-Ni-Pt合金的强磁性晶粒。就该磁记录介质(1)而言，构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于在常温下具有非常高的各向异性磁场，因此所记录的磁信号的稳定性极其优异。另外，就该磁记录介质(1)而言，构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于具有适当的温度范围的居里点，因此可通过热辅助磁记录方式来进行信号记录。
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公开(公告)号：CN1150291A
公开(公告)日：1997-05-21
申请号：CN96109394.3
申请日：1996-08-07
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/008
CPC classification number: G11B20/10194 , G11B20/10
Abstract: 一种可以不需要为高密度记录和快速回旋率的数据记录和再现系统极大地增加所需传送频带的快速数据传送系统，具有一个包括一个编码器/解码器的记录和再现信号处理器，一个包括一个并串转换器的盘盒，一个记录头，一个串并转换器及一条传送电缆，它通过偏移众多记录信号的相位将记录的并行数据自编码器/解码器传送至记录放大器并通过偏移众多再现信号的相位将再现的并行数据自串并转换器传送至编码器/解码器。
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公开(公告)号：CN1506938A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310103016.7
申请日：2003-10-29
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B27/36 , G11B5/012 , G11B5/5526 , G11B5/59605 , G11B2005/001
Abstract: 本发明涉及磁盘装置的记录再生操作的技术。本发明提供的磁盘装置通过检测线路间串扰大小，执行磁记录功能的正常、异常的状态判定，从而可保证磁记录功能。其利用由于记录磁头线圈的短路等，记录侧线路的负载电感变小时，从记录侧线路到再生侧线路的线路间串扰的振幅变增大这一事实，在前置放大器(20)内设置作为线圈异常(电感变化)的检测装置的线路间串扰振幅检测部(36)。从前置放大器(20)的再生电路内的分支电路(30)分支，设置线路间串扰振幅检测电路(31)，进而通过设定在振幅达到阈值以上时判断记录状态异常的功能，可以保证前置放大器(20)的记录功能。另外，即使在磁头附近的线路短路，同样可以因电感变小而检测出记录状态异常。
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公开(公告)号：CN1074564C
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN96109394.3
申请日：1996-08-07
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/008
CPC classification number: G11B20/10194 , G11B20/10
Abstract: 一种可以不需要为高密度记录和快速回旋率的数据记录和再现系统极大地增加所需传送频带的快速数据传送系统，具有一个包括一个编码器/解码器的记录和再现信号处理器，一个包括一个并串转换器的盘盒，一个记录头，一个串并转换器及一条传送电缆，它通过偏移众多记录信号的相位将记录的并行数据自编码器/解码器传送至记录放大器并通过偏移众多再现信号的相位将再现的并行数据自串并转换器传送至编码器/解码器。
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公开(公告)号：CN101640098B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200910152089.2
申请日：2009-07-28
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 富士电机株式会社
CPC classification number: G11B5/656 , B82Y25/00 , G11B5/65 , G11B5/82 , H01F10/16 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/18 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , Y10T428/115 , Y10T428/32
Abstract: 本发明提供一种可以较低地抑制饱和磁化Ms、又可以提供高Ku的磁性薄膜及其成膜方法、以及应用该磁性薄膜的各种装置。本发明的磁性薄膜含有具有L11型的原子的有序结构的Co-M-Pt合金(所述M表示单一或者多个除Co和Pt以外的金属元素。)，例如，所述Co-M-Pt合金为Co-Ni-Pt合金，组成如下，Co为10～35(at％)，Ni为20～55(at％)、剩余部分为Pt。另外，所述磁性薄膜应用于在垂直磁记录介质、隧道磁电阻元件(TMR)、磁阻式随机存储器(MRAM)、微机电系统装置等中使用的磁性膜中。
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